[發明專利]開關電源控制芯片無效
| 申請號: | 201010585485.7 | 申請日: | 2010-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN102035409A | 公開(公告)日: | 2011-04-27 |
| 發明(設計)人: | 黃云川;李文昌;劉劍;于廷江;黃國輝;高繼 | 申請(專利權)人: | 成都成電硅海科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H02M7/12 | 分類號: | H02M7/12;H02M3/156 |
| 代理公司: | 成都惠迪專利事務所 51215 | 代理人: | 劉勛 |
| 地址: | 610041 四川省成都市高新區*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 開關電源 控制 芯片 | ||
技術領域
本發明涉及電子技術,特別涉及集成電路技術。
背景技術
AC/DC開關電源(SMPS)被廣泛應用,AC/DC直接對電網電壓進行整流濾波調整,然后由開關調整管進行穩壓,不需要電源變壓器;開關工作頻率在幾十千赫,濾波電容器、電感器數值較小。因此AC/DC開關電源具有重量輕,體積小等特點。在電網電壓從110V~260V范圍內變化時,都可獲得穩定的輸出電壓。目前常見的開關調整管使用外部、分立式高壓功率管。即使有少部分集成內部功率管的結構,也或者是單電源系統,或者是集成的低壓功率管。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是,提供一種具有高精度和較寬適應范圍的開關電源控制芯片。
本發明解決所述技術問題采用的技術方案是,開關電源控制芯片,包括第一級電壓調整模塊、第二級電壓調整模塊、低壓控制模塊和高壓控制模塊,所述第一級電壓調整模塊包括由一個耗盡型MOSFET器件和運放構成的反饋回路,耗盡型MOSFET器件的源極為第一級電壓調整模塊的輸出端;
在低壓控制模塊和高壓控制模塊之間串聯有電平轉換電路,電平轉換電路還與第一級電壓調整模塊的輸出端、第二級電壓調整模塊的輸出端連接。高壓控制模塊與高壓功率管的柵極連接。
所述第二級電壓調整模塊包括高增益運放和第一MOS管,第二級電壓調整模塊的輸出端為第一MOS管的輸出端,第一MOS管的輸出端通過第一電阻接高增益運放的負性輸入端,第一MOS管的控制端接高增益運放的輸出端,高增益運放的負性輸入端通過第二電阻接地。
所述電平轉換電路包括串聯于高電壓輸入端和地電平之間的第二MOS管和第四MOS管,以及串聯于高電壓輸入端和地電平之間的第三MOS管和第五MOS管,第二MOS管的柵極接第三MOS管的輸出端,第三MOS管的柵極接第二MOS管的輸出端,第四MOS管的控制端接反相器的輸出端,反相器的第一輸入端接電平轉換電路的PWM輸入端和第五MOS管的控制端,第二輸入端接電平轉換電路的低電壓輸入端,第三MOS管的輸出端為電平轉換電路的輸出端。本發明的有益效果是,本發明保證系統控制精度的同時,能提供更高的驅動電壓。本發明的技術拓寬了外部功率器件的選型范圍。本發明非常適合于集成電路芯片,具有經濟的芯片面積,特別適用于開關電源領域。本發明用多電壓等級開關電源控制系統的高壓等級(5V~20V左右)驅動內部集成的高壓(700V)LDMOS功率管,滿足高壓功率器件的驅動要求。這樣的多電壓集成功率管系統,既滿足控制精度的要求,也滿足功率器件驅動能力的要求,同時簡化了系統外圍應用電路的要求。
以下結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步的說明。
附圖說明
圖1是現有技術的示意圖。
圖2是本發明的電路結構示意圖。
圖3是本發明的第二級電壓調整模塊電路圖。
圖4是本發明的電平轉換電路的電路圖。
圖中虛線框表示芯片集成范圍,虛線框外為芯片周邊電路。
具體實施方式
圖1所示為現有技術的典型結構。電阻R和電容C形成阻容降壓,低壓差電壓調制器(LDO)電路102把電阻R和電容C得到的電壓調整到內部控制電路需要的電壓值,內部電路包括低壓控制模塊103和高壓控制模塊104。通過這樣的結構,輸出一個控制驅動脈寬調制(PWM)信號到外部的功率器件200。系統再通過采樣電阻10上的采樣電壓VS,由內部控制電路的比較器來比較VS電壓和內部帶隙基準參考電壓,從而調整PWM信號的占空比,進而控制外部功率器件200的導通/關斷比例,達到控制輸出電壓的目的。這種AC/DC開關電源典型結構的電路,采用的功率器件是外部高壓功率管200。在系統應用中,需要額外選擇合適的外部高壓功率管200,比如,功率管的閾值電壓,柵電荷的大小。板級設計的時候,也給設計人員設計電路板(PCB)提出了更高的要求。
參見圖2~4。
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