[發明專利]制備太陽能電池的同軸系統

無效

• 申請號: 201010581187.0
• 申請日: 2010-12-01
• 公開（公告）號: CN102110744A
• 公開（公告）日: 2011-06-29
• 發明（設計）人: 金宇三;金永君
• 申請（專利權）人: 顯示器生產服務株式會社
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 廣州弘邦專利商標事務所有限公司 44236
• 代理人: 張釔斌

1.一種制備太陽能電池的同軸系統，其特征在于該系統包括：

一個用于輸入底板的底板裝載區；

一個連續地將底板上表面上的光吸收層沉淀掉的沉淀區；

一個對沉淀區送來的底板進行熱處理的熱處理區，

所述的底板裝載區和熱處理區是連續地安裝在一個一體化內腔中相互間隔的內部間隔中，每個用于傳送底板的傳送構件是連續地連接安裝的，這樣當底板在一個一體化內腔中被處理時是連續傳送的。

2.如權利要求1所述的同軸系統，其特征在于所述的傳送構件包括若干個分別安裝在底板裝載區、沉淀區和熱處理區下部的傳送單元，它們連續不斷地傳送底板。

3.如權利要求1所述的同軸系統，其特征在于所述的底板裝載區還包括一個用于預加熱底板的預加熱構件。

4.如權利要求1所述的同軸系統，其特征在于所述的沉淀區包括：

一個濺射區，其用于沉淀底板上表面處的銅(Cu)、銦(In)和鎵(Ga)；

一個蒸發區，其用于在底板的上表面處層壓形成硒(Se)。

5.如權利要求4所述的同軸系統，其特征在于所述的濺射區包括若干個濺射單元，它們沿底板的傳送方向設置安裝，并且

所述的濺射單元安裝了一個濺射靶，其由銅(Cu)、銦(In)和鎵(Ga)中的一種，或者是由其中的兩種或兩種以上混合形成，并且該濺射靶是朝向底板的上表面的。

6.如權利要求4所述的同軸系統，其特征在于所述的沉淀區包括一種自動開關的閘閥，其用于將濺射區和蒸發區相互分隔開。

7.如權利要求1所述的同軸系統，其特征在于所述的熱處理區包括一個低速的熱處理區，它從低溫至高溫連續地升高加熱溫度，將底板受到的熱沖擊降至最低。

8.如權利要求1所述的同軸系統，其特征在于所述熱處理區的后端連接安裝了一個緩沖層沉淀區，該緩沖層沉淀區在底板的上表面上蒸發形成一個緩沖層。

9.如權利要求8所述的同軸系統，其特征在于自動開關閘閥是分別安裝在沉淀區和熱處理區之間的相連區，熱處理區和緩沖層沉淀區之間的相連區內的。

10.如權利要求5所述的同軸系統，其特征在于所述的沉淀區包括一個真空分隔構件，其用于開關濺射單元的一個安裝間隔，將濺射單元中的這個安裝間隔與沉淀區內的一個真空腔分隔開來。

11.如權利要求10所述的同軸系統，其特征在于所述的真空分隔構件包括：

一個從沉淀區中真空腔內的上表面向下延伸的隔板；和

一個開關隔板下部的閘閥，

其中所述的濺射單元中的安裝間隔是與沉淀區中的真空腔相分隔的。

12.如權利要求10所述的同軸系統，其特征在于所述的沉淀區還包括一個使濺射單元上升或下降的提升構件，它控制了濺射單元中設置的濺射靶和底板之間的間隔距離。

13.如權利要求12所述的同軸系統，其特征在于所述的提升構件包括：一個波紋管，其一端與濺射單元外表面相連，另一端與沉淀區中真空腔的上表面相連；及

一個控制部件，其從濺射單元的外表面突起，并與真空腔的上表面相連，控制濺射單元的高度。

14.如權利要求13所述的同軸系統，其特征在于所述的控制部件包括：

一個一端與濺射單元外表面相連的支撐桿；和

一個控制桿，其頂端與支撐桿的另一端相連，底端與真空腔的上部相連，并且控制桿是直立地安裝，使之向上或向下地控制支撐桿的高度。

15.如權利要求1所述的同軸系統，其特征在于所述的傳送構件包括一個連續卷軸式單元，該單元包括一個展開滾筒和一個再卷繞滾筒，并且該單元連續地展開或卷繞底板。