[發明專利]用來進行超區塊管理的方法、記憶裝置及其控制器

有效

• 申請號: 201010566447.7
• 申請日: 2010-11-30
• 公開（公告）號: CN102479154A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: 沈揚智
• 申請（專利權）人: 慧榮科技股份有限公司
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02
• 代理公司: 深圳市順天達專利商標代理有限公司 44217
• 代理人: 易釗

技術領域

本發明涉及關于具有多通道的閃存(Flash?Memory)的存取(Access)，更具體地說，涉及一種用來進行超區塊(Meta?Block)管理的方法以及相關的記憶裝置及其控制器。

背景技術

近年來由于閃存的技術不斷地發展，各種可攜式記憶裝置(例如：符合SD/MMC、CF、MS、XD標準的記憶卡)或具備閃存的固態硬盤(Solid?State?Drive，SSD)被廣泛地實施于諸多應用中。因此，這些記憶裝置中的閃存的存取控制遂成為相當熱門的議題。

以常用的NAND型閃存而言，其主要可區分為單階細胞(Single?LevelCell，SLC)與多階細胞(Multiple?Level?Cell，MLC)兩大類的閃存。單階細胞閃存中的每個被當作記憶單元的晶體管只有兩種電荷值，分別用來表示邏輯值0與邏輯值1。另外，多階細胞閃存中的每個被當作記憶單元的晶體管的儲存能力則被充分利用，采用較高的電壓來驅動，以透過不同級別的電壓在一個晶體管中記錄兩組(或以上)位信息(00、01、11、10)；理論上，多階細胞閃存的記錄密度可以達到單階細胞閃存的記錄密度的兩倍，這對于曾經在發展過程中遇到瓶頸的NAND型閃存的相關產業而言，是非常好的消息。

相較于單階細胞閃存，由于多階細胞閃存的價格較便宜，并且在有限的空間里可提供較大的容量，故多階細胞閃存很快地成為市面上的可攜式記憶裝置競相采用的主流。然而，多階細胞閃存的不穩定性所導致的問題也一一浮現。為了確保記憶裝置對閃存的存取控制能符合相關規范，閃存的控制器通常備有某些管理機制以妥善地管理數據的存取。

依據相關技術，有了這些管理機制的記憶裝置還是有不足之處。例如：相關技術的管理機制無法保證在具有多通道的閃存中的各個信道的信道頻寬；又例如：相關技術在進行隨機寫入之后的循序讀取的效能甚差。因此，需要一種新穎的方法來進行超區塊管理，以增進閃存的存取效能。

發明內容

本發明要解決的技術問題在于，針對現有技術的上述在具有多通道的細胞閃存中的各個信道的信道頻寬易導致隨機寫入之后的循序讀取的效能甚差的缺陷，提供一種用來進行超區塊(Meta?Block)管理的方法以及相關的記憶裝置及其控制器，以解決上述問題。

本發明的另一目的在于提供一種用來進行超區塊管理的方法以及相關的記憶裝置及其控制器，以增進閃存(Flash?Memory)的存取效能。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案之一是：構造一種用來進行超區塊管理的方法，該方法應用于具有多通道(Channel)的閃存的控制器，該閃存包含分別對應于該些通道的多個區塊，該方法包含有：利用一超區塊(Meta?Block)映像表儲存分別對應于多個超區塊的區塊分組關系，其中每一超區塊中的區塊分別對應于該些通道；以及當偵測到一超區塊當中對應于一特定通道的一特定區塊無剩余可寫入空間時，依據該超區塊映射表，利用至少一其它超區塊當中對應于該特定通道的至少一空白區塊作為該特定區塊的延伸，以供進一步寫入之用。尤其是，基于預定的邏輯地址與信道的映像關系，在該控制器運作于頁模式(Page?Mode)的狀況下，采用該方法的該控制器可動態地(Dynamically)進行超區塊管理，以增進該閃存的存取效能。

上述本發明所述的方法，其中利用該至少一其它超區塊當中對應于該特定通道的該至少一空白區塊作為該特定區塊的延伸以供進一步寫入之用的步驟另包含：

在對應于該特定通道的該至少一空白區塊被利用作為該特定區塊的延伸的狀況下，依據該超區塊映射表，利用該至少一其它超區塊當中對應于至少一其它通道的至少一空白區塊，作為該特定區塊所屬的該超區塊當中對應于該至少一其它通道的至少一其它區塊的延伸，以供進一步寫入之用。

上述本發明所述的方法，其中該至少一其它超區塊包含一第一超區塊與一第二超區塊，且該至少一空白區塊包含一第一空白區塊與一第二空白區塊；以及利用該至少一其它超區塊當中對應于該特定通道的該至少一空白區塊作為該特定區塊的延伸以供進一步寫入之用的步驟另包含：

利用該第一空白區塊與該第二空白區塊作為該特定區塊的延伸。

上述本發明所述的方法，其中利用該至少一其它超區塊當中對應于該特定通道的該至少一空白區塊作為該特定區塊的延伸以供進一步寫入之用的步驟另包含：