[發明專利]發光二極管及其制造方法

無效

• 申請號: 201010559682.1
• 申請日: 2010-11-24
• 公開（公告）號: CN102064253A
• 公開（公告）日: 2011-05-18
• 發明（設計）人: 肖德元;張汝京;程蒙召;許繼仁
• 申請（專利權）人: 映瑞光電科技(上海)有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種發光二極管，包括：

緩沖層；

依次位于所述緩沖層上的外延層、有源層以及帽層；

其中，所述緩沖層在遠離所述外延層的表面上具有多個凹陷。

2.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述凹陷為半球型凹陷。

3.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述緩沖層的材料為氮化鎵。

4.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述發光二極管還包括位于所述帽層上的透明導電層。

5.如權利要求4所述的發光二極管，其特征在于，所述發光二極管還包括第一電極、第二電極以及深度延伸至所述外延層的開口，其中，

所述第一電極位于所述透明導電層上，用于連接透明導電層和電源正極；

所述第二電極位于所述開口內，用于連接外延層和電源負極。

6.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述外延層的材料為N型摻雜的氮化鎵；所述有源層包括多量子阱有源層，所述多量子阱有源層的材料為銦氮化鎵；所述帽層的材料為P型摻雜的氮化鎵。

7.一種發光二極管的制造方法，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成多個微透鏡結構；

在所述襯底上依次形成緩沖層、外延層、有源層以及帽層，以在所述緩沖層

遠離所述外延層的表面上形成多個與所述微透鏡結構相匹配的凹陷；

去除所述襯底。

8.如權利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述凹陷為半球型凹陷。

9.如權利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述緩沖層的材料為氮化鎵，

所述襯底的材料為藍寶石或碳化硅。

10.如權利要求9所述的制造方法，其特征在于，利用硫酸和磷酸的混合溶液去除所述襯底。

11.如權利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述襯底上形成多個微透鏡結構的步驟包括：

在所述襯底上形成多個圓柱形光刻膠臺；

對圓柱形光刻膠臺進行烘烤，使所述圓柱形光刻膠臺成為球冠狀光刻膠；

以所述球冠狀光刻膠為掩膜，執行感應耦合等離子體刻蝕工藝，以在所述襯底上形成多個微透鏡結構。

12.如權利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述外延層的材料為N型摻雜的氮化鎵；所述有源層包括多量子阱有源層，所述多量子阱有源層的材料為銦氮化鎵；所述帽層的材料為P型摻雜的氮化鎵。

13.如權利要求7所述的制造方法，其特征在于，去除所述襯底之前，還包括：

在所述帽層上形成透明導電層；

在所述透明導電層上形成第一電極；

形成深度延伸至所述外延層的開口；

在所述開口內形成第二電極。

14.如權利要求13所述的制造方法，其特征在于，去除所述襯底之前，還包括：

在所述透明導電層上形成鈍化層；

減薄所述襯底。