[發明專利]Si襯底GaN基薄膜的生長方法無效
| 申請號： | 201010558720.1 | 申請日： | 2010-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN102061519A | 公開（公告）日： | 2011-05-18 |
| 發明（設計）人： | 張佰君;羅睿宏;向鵬;劉揚 | 申請（專利權）人： | 中山大學 |
| 主分類號： | C30B25/18 | 分類號： | C30B25/18;C30B29/40 |
| 代理公司： | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 510275 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | si 襯底 gan 薄膜 生長 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種Si襯底GaN基薄膜的生長方法，其特征在于：依次進行下列步驟：
步驟1：在Si襯底（1）上面形成中間結構層（11）；
步驟2：調節金屬有機化學氣相沉積系統反應腔內壓強至50—150mbar，將襯底加熱至900－1200℃，生長一高溫低壓GaN插入層（2）；
步驟3：在該高溫低壓GaN插入層（2）上生長GaN基薄膜（3）。
2.根據權利要求1所述的Si襯底GaN基薄膜的生長方法，其特征在于，所述的中間結構層（11）是AlN緩沖層（11a）、AlxGa1-xN層（11e，其中x=0～1）、GaN層（11b）、SixNy掩膜層（11d）、ZnO緩沖層（11f）、SiC、Si/SiO2中任意一種或其組合形成的層狀結構。
3.根據權利要求1所述的Si襯底GaN基薄膜的生長方法，其特征在于，所述的高溫低壓GaN插入層（2）的厚度范圍為0.5—500nm。
4.根據權利要求1所述的Si襯底GaN基薄膜的生長方法，其特征在于，生長所使用的鎵源、鋁源、氮源分別為三甲基鎵、三甲基鋁、氨氣。
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