[發(fā)明專利]雙重圖形化方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010553698.1
• 申請(qǐng)日: 2010-11-19
• 公開（公告）號(hào): CN102466969A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張海洋;孫武;張世謀
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/00
• 分類號(hào): G03F7/00;G03F7/09;H01L21/027
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種雙重圖形化方法，其特征在于，包括：

分別提供基底和壓印模具，所述基底上形成有第一光刻膠層，所述壓印模具具有第一圖形；

使用所述壓印模具對(duì)所述第一光刻膠層進(jìn)行壓印，將所述第一圖形轉(zhuǎn)移至所述第一光刻膠層；

形成第二光刻膠層，覆蓋所述壓印后的第一光刻膠層；

對(duì)所述第二光刻膠層進(jìn)行圖形化，定義出第二圖形。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙重圖形化方法，其特征在于，所述使用所述壓印模具對(duì)所述第一光刻膠層進(jìn)行壓印包括：使用所述壓印模具對(duì)所述第一光刻膠層進(jìn)行沖壓；移除所述壓印模具；對(duì)所述第一光刻膠層進(jìn)行凍結(jié)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙重圖形化方法，其特征在于，所述凍結(jié)包括對(duì)所述第一光刻膠曝光和/或烘焙。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙重圖形化方法，其特征在于，所述對(duì)所述第二光刻膠層進(jìn)行圖形化包括：對(duì)所述第二光刻膠層進(jìn)行曝光，定義出所述第二圖形；對(duì)所述曝光后的第二光刻膠層進(jìn)行顯影。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙重圖形化方法，其特征在于，還包括：以所述壓印后的第一光刻膠層和圖形化后的第二光刻膠層為掩膜，對(duì)所述基底進(jìn)行刻蝕。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙重圖形化方法，其特征在于，所述基底的上形成有防反射層，所述第一光刻膠層位于所述防反射層上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙重圖形化方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體基底上形成有硬掩膜層，所述防反射層位于所述硬掩膜層上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的雙重圖形化方法，其特征在于，還包括：以所述壓印后的第一光刻膠層和圖形化后的第二光刻膠層為掩膜，對(duì)所述硬掩膜層進(jìn)行刻蝕；以所述硬掩膜層為掩膜，對(duì)所述基底進(jìn)行刻蝕。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的雙重圖形化方法，其特征在于，所述硬掩膜層的材料為多晶硅、氧化硅、氮化硅、碳化硅或金屬。