[發明專利]結合基板及制造方法、固體攝像裝置及制造方法、照相機

有效

• 申請號: 201010553232.1
• 申請日: 2010-11-22
• 公開（公告）號: CN102082157A
• 公開（公告）日: 2011-06-01
• 發明（設計）人: 藤井宣年
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/225;G03B19/02
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;武玉琴

1.一種結合基板制造方法，其包括如下步驟：

在半導體基板一側表面上形成第一結合層；

在支撐基板一側表面上形成第二結合層；

使所述第一結合層與所述第二結合層相互粘結；

進行使所述第一結合層與所述第二結合層相互結合的熱處理；并且

從所述半導體基板另一側表面對所述半導體基板進行減薄，由此形成半導體層，

其中，在所述第一結合層形成步驟和所述第二結合層形成步驟至少一者中，在所述第一結合層和所述第二結合層至少一者的表面上形成含有碳化硅或碳氮化硅的層。

2.如權利要求1所述的結合基板制造方法，其中：

在所述第一結合層與所述第二結合層相互粘結的步驟之前，將羥基引入至所述第一結合層的表面中和所述第二結合層的表面中；并且

在所述熱處理步驟中通過脫水縮合來使所述第一結合層與所述第二結合層相互結合。

3.如權利要求1所述的結合基板制造方法，還包括：

在所述第一結合層與所述第二結合層相互粘結的步驟之前，在所述半導體基板和所述支撐基板至少一者上形成含銅層的步驟，

其中，所述熱處理步驟中的處理溫度不高于400℃。

4.如權利要求1所述的結合基板制造方法，還包括：

在所述第一結合層與所述第二結合層相互粘結的步驟之前，在所述半導體基板和所述支撐基板至少一者上形成含鋁層的步驟，

其中，所述熱處理步驟中的處理溫度不高于500℃。

5.如權利要求1所述的結合基板制造方法，還包括：

在所述第一結合層與所述第二結合層相互粘結的步驟之前，在所述半導體基板和所述支撐基板至少一者之中或之上形成電子電路的步驟。

6.如權利要求5所述的結合基板制造方法，還包括：

在所述第一結合層與所述第二結合層相互粘結的步驟之前，在所述半導體基板和所述支撐基板每一者之中或之上形成電子電路的步驟。

7.如權利要求6所述的結合基板制造方法，其中，在所述第一結合層形成步驟和所述第二結合層形成步驟至少一者中，在所述第一結合層和所述第二結合層至少一者的至少一部分的表面處形成含有碳化硅或碳氮化硅的層。

8.如權利要求7所述的結合基板制造方法，其中，在所述第一結合層形成步驟和所述第二結合層形成步驟至少一者中，在所述第一結合層和所述第二結合層至少一者的用于提供所述第一結合層與所述第二結合層間的結合的表面處形成含有碳化硅或碳氮化硅的層。

9.如權利要求8所述的結合基板制造方法，還包括：

在所述第一結合層與所述第二結合層相互粘結的步驟之前，形成穿過所述第一結合層并與所述半導體基板的所述電子電路相連接的第一接觸件的步驟，以及形成穿過所述第二結合層并與所述支撐基板的所述電子電路相連接的第二接觸件的步驟，

其中，在所述第一結合層形成步驟和所述第二結合層形成步驟至少一者中，在所述第一結合層和所述第二結合層至少一者的除所述第一接觸件的區域和所述第二接觸件的區域以外的區域的表面上形成含有碳化硅或碳氮化硅的層，并且

在所述第一結合層與所述第二結合層相互粘結的步驟中，使所述第一接觸件與所述第二接觸件相互電連接。

10.一種結合基板，其包括：

半導體層，它具有電子電路；

支撐基板，它支撐著所述半導體層；

第一結合層，它形成在所述半導體層的位于所述支撐基板側的表面上；以及

第二結合層，它形成在所述支撐基板的位于所述半導體層側的表面上，并與所述第一結合層結合，

其中，所述第一結合層和所述第二結合層中的任意一者含有碳化硅或碳氮化硅。

11.如權利要求10所述的結合基板，其中，在所述支撐基板之中或之上還形成有電子電路。

12.如權利要求11所述的結合基板，其中，在所述第一結合層形成步驟和所述第二結合層形成步驟至少一者中，在所述第一結合層和所述第二結合層至少一者的至少一部分的表面處形成有含有碳化硅或碳氮化硅的層。