[發明專利]切削裝置有效
| 申請號: | 201010552104.5 | 申請日: | 2010-11-17 |
| 公開(公告)號: | CN102097373A | 公開(公告)日: | 2011-06-15 |
| 發明(設計)人: | 邁克爾·威廉姆·加德 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;B28D5/00 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 陳堅 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 切削 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及一種切削裝置,該切削裝置具備:切削刀具,其用于切削被加工物;以及切削液供給構件,其向切削刀具供給切削液。
背景技術
在半導體器件的制造工藝中,在半導體晶片表面形成多個IC(Integrated?Circuit:集成電路)、LSI(Large-scale?Integration:大規模集成電路)或固體攝像元件等器件。然后,通過沿著對各個器件進行分區的被稱為間隔道的分割預定線利用切削裝置切削晶片,來將晶片分割成一個個器件。
作為切削裝置廣泛使用被稱作劃片機(dicer)的切削裝置,劃片機具備包含切削刀具的切削構件。切削刀具具有切削刃,該切削刃利用金屬或樹脂等固定金剛石或CBN(Cubic?Boron?Nitride:立方氮化硼)等超硬磨粒而成,且厚度大約為幾十~幾百微米,該切削刀具一邊以大約30000rpm的高速進行旋轉一邊切入被加工物,將被加工物的一部分切削除去,由此來分割被加工物。
為了對通過切削產生的加工熱進行冷卻,并且為了將通過切削產生的切屑從被加工物上排出,在劃片機中一邊對加工點(切削刀具與被加工物接觸的點)和被加工物上表面供給切削液一邊進行切削。
特別是在被加工物為在表面形成有CCD(Charge?Coupled?Device:電荷耦合器件)或CMOS(Complementary?Metal?Oxide?Semiconductor:互補金屬氧化物半導體)等攝像器件的晶片、或在表面形成有濾光器、光拾取器件等光器件的基板的情況下,如果切屑附著在器件上,則會引起器件不良,因此非常重視防止切屑的附著。
切屑一旦附著在被加工物上并干燥,就非常難以在隨后的清洗工序中去除,因此,如日本特開2007-69280號公報所公開的那樣,提出有從被加工物上抽吸含有在切削過程中產生的切屑的切削液并將其排出的機構。
專利文獻1:日本特開2007-69280號公報
然而,即使如專利文獻1所公開的那樣欲使用抽吸源來抽吸切削液,也存在這樣的問題:與切削液一起被抽吸源抽吸的空氣阻礙切削液的抽吸,抽吸狀態不穩定。
發明內容
本發明是鑒于這樣的問題而完成的,其目的在于提供一種能夠實現切削液的穩定抽吸、且不會引起被加工物的器件不良的切削裝置。
根據本發明,提供一種切削裝置,該切削裝置具備:卡盤工作臺,該卡盤工作臺保持被加工物;切削構件,該切削構件包括切削刀具和主軸,所述切削刀具用于對保持于所述卡盤工作臺的被加工物進行切削,所述主軸使所述切削刀具旋轉;以及切削液供給構件,該切削液供給構件對所述切削刀具供給切削液,所述切削裝置的特征在于,所述切削裝置具備:抽吸口,該抽吸口配設在被供給至所述切削刀具的所述切削液隨著該切削刀具的旋轉而飛散的一側;流入通道,該流入通道的一端與所述抽吸口連接,經由所述抽吸口抽吸來的所述切削液在該流入通道內流動;流體分離機構主體,該流體分離機構主體具有第一開口部、第二開口部和第三開口部,所述第一開口部與所述流入通道的另一端連接,所述第二開口部開口于比所述第一開口部靠上方的位置,所述第三開口部形成于比所述第二開口部低的位置,且形成于與所述第一開口部相同高度的位置或比所述第一開口部低的位置,所述第三開口部用于將經由所述第一開口部流入的所述切削液排出;抽吸源,該抽吸源與所述流體分離機構主體的所述第二開口部連接;以及排出通道,該排出通道的一端與所述第三開口部連接,在該排出通道的另一端具有排出口,該排出口形成于與所述第一開口部相同高度的位置或比所述第一開口部低的位置,該排出通道用于使所述流體分離機構主體內的所述切削液排出,所述排出通道具有液體蓄積部,該液體蓄積部使所述排出口始終充滿液體從而防止外部氣體的流入。
根據本發明,由于使抽吸的切削液與空氣分離的流體分離機構設置在抽吸并排出切削液的路徑上,所以能夠實現抽吸狀態的穩定化。此外,由于在排出通道形成有始終滯留有液體的液體蓄積部,所以能夠防止在抽吸開始時從排出口抽吸空氣,能夠增強抽吸口的抽吸力。
附圖說明
圖1是切削裝置的外觀立體圖。
圖2是表示將切削刀具裝配于主軸的情形的分解立體圖。
圖3是切削刀具裝配于主軸后的狀態的立體圖。
圖4是與廢液回收構件連接的刀具罩的立體圖。
圖5是表示切削時的作用的縱剖視圖。
圖6的(A)是抽吸源工作時的第一實施方式所涉及的流體分離機構的縱剖視圖,圖6的(B)是抽吸停止時的第一實施方式的流體分離機構的縱剖視圖。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





