[發明專利]一種平坦化方法

有效

• 申請號: 201010545902.5
• 申請日: 2010-11-16
• 公開（公告）號: CN102097311A
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發明（設計）人: 肖志強;黃蘊;張明;吳建偉
• 申請（專利權）人: 無錫中微晶園電子有限公司
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;H01L21/311;H01L21/02;H01L21/768
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所 32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種平坦化方法，其特征是，所述平坦化方法包括如下步驟：

(a)、提供襯底，所述襯底上設置底層金屬連線；

(b)、在上述襯底上，淀積絕緣介質層，所述絕緣介質層覆蓋在底層金屬連線上；

(c)、在上述絕緣介質層上涂布光刻膠；

(d)、對上述襯底及光刻膠進行熱處理，去除光刻膠中的水汽；

(e)、對上述襯底及光刻膠進行干法刻蝕，去除絕緣介質層及所述絕緣介質層上的光刻膠，并保留位于金屬連線底層臺階處的絕緣介質層；

(f)、對上述襯底通過干法去膠后，再用EKC溶液清洗，清除襯底上的光刻膠；

(g)、上述襯底上，再次淀積絕緣介質層，所述絕緣介質層覆蓋在底層金屬連線上；

(h)、在上述再次淀積得到的絕緣介質層上涂布光刻膠；

(i)、對上述襯底及光刻膠進行熱處理，去除光刻膠中的水汽；

(j)、對上述襯底及光刻膠進行干法刻蝕，去除絕緣介質層及所述絕緣介質層上的光刻膠，并保留位于金屬連線底層臺階處的絕緣介質層；所述保留的絕緣介質層的厚度與所述底層金屬連線的厚度相當；

(k)對上述襯底通過干法去膠后，再用EKC溶液清洗，清除襯底上的光刻膠。

2.根據權利要求1所述的平坦化方法，其特征是：所述襯底的材料包括硅。

3.根據權利要求1所述的平坦化方法，其特征是：所述底層金屬連線的厚度為1000nm～1500nm。

4.根據權利要求1所述的平坦化方法，其特征是：所述絕緣介質層為SiO₂層。

5.根據權利要求1或4所述的平坦化方法，其特征是：所述絕緣介質層通過PECVD淀積在底層金屬連線上，所述絕緣介質層的厚度為1000nm～1400nm。

6.根據權利要求1所述的平坦化方法，其特征是：所述步驟(c)和步驟(h)中，涂布光刻膠的厚度為1000nm～1400nm。

7.根據權利要求1所述的平坦化方法，其特征是：所述步驟(d)和步驟(h)中，對襯底及光刻膠在150～200℃進行40～80分鐘的熱處理，除去光刻膠中的水汽。

8.根據權利要求1所述的平坦化方法，其特征是：所述步驟(k)中，保留得到的絕緣氧化層的厚度為1000nm～1300nm。

9.根據權利要求1或3所述的平坦化方法，其特征是：所述底層金屬連線的材料包括鋁。

10.根據權利要求1所述的平坦化方法，其特征是：所述步驟(e)和步驟(j)中，對光刻膠和絕緣介質層的干法刻蝕包括兩步，第一步先去除絕緣介質層上的光刻膠，第二部中將剩余的光刻膠和絕緣介質層去除，保留位于底層金屬連線臺階上的絕緣介質層。