[發(fā)明專利]包含Cu-Ga合金的濺射靶的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010539266.5 | 申請日： | 2010-09-21 |
| 公開（公告）號： | CN102049578A | 公開（公告）日： | 2011-05-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 山下和貴;熊谷俊昭 | 申請（專利權(quán)）人： | 住友化學(xué)株式會社 |
| 主分類號： | B23H5/00 | 分類號： | B23H5/00;B23H7/02 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蔡曉菡;高旭軼 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 包含 cu ga 合金 濺射 制造 方法 | ||
1.包含Cu-Ga合金的濺射靶的制造方法，其特征在于，
通過電火花線加工，將Cu-Ga合金錠切斷成想得到的濺射靶的厚度，
對得到的Cu-Ga合金切斷片的面中的至少成為濺射面的平面進(jìn)行粗研磨，
利用電火花線加工，將得到的粗研磨后的切斷片切斷，加工成濺射靶的形狀，
接著，將濺射靶形狀的切斷片的成為濺射面的平面研磨至期望的表面平滑度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，
Cu-Ga合金錠中Ga的組成比是10摩爾％～50摩爾％。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，
Cu-Ga合金錠的形狀是長方體，以長方體的最短邊與切斷面相交的方式將該Cu-Ga合金錠切斷。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的方法，其特征在于，
在對平面進(jìn)行粗研磨時，使用選自帶式打磨機(jī)、盤磨機(jī)和直磨機(jī)中的任一種研磨機(jī)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的方法，其特征在于，
粗研磨后的平面的表面粗糙度Ra是1μm以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項所述的方法，其特征在于，
對濺射靶形狀的切斷片的、由成為濺射面的平面和其它側(cè)面的2個面構(gòu)成的邊緣部進(jìn)行倒角加工，接著對倒角加工后的成為濺射面的平面進(jìn)行研磨。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項所述的方法，其特征在于，
上述倒角加工是將邊緣部倒角成R0.31.0的加工。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項所述的方法，其特征在于，
上述倒角加工是將邊緣部倒角成C0.3～1.0的加工。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～8的任一項所述的方法，其特征在于，
在對濺射靶形狀的切斷片進(jìn)行研磨時，使用軌道打磨機(jī)作為研磨機(jī)。
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