[發(fā)明專利]微機電系統(tǒng)麥克風無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010538712.0 | 申請日: | 2010-11-10 |
| 公開(公告)號: | CN101984679A | 公開(公告)日: | 2011-03-09 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張睿;葛州;顏毅林;楊斌 | 申請(專利權)人: | 瑞聲聲學科技(深圳)有限公司;瑞聲光電科技(常州)有限公司 |
| 主分類號: | H04R19/04 | 分類號: | H04R19/04 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微機 系統(tǒng) 麥克風 | ||
【技術領域】
本發(fā)明涉及一種麥克風,尤其涉及一種微機電系統(tǒng)麥克風。
【背景技術】
隨著無線通訊的發(fā)展,全球移動電話用戶越來越多,用戶對移動電話的要求已不僅滿足于通話,而且要能夠提供高質(zhì)量的通話效果,尤其是目前移動多媒體技術的發(fā)展,移動電話的通話質(zhì)量更顯重要,移動電話的麥克風作為移動電話的語音拾取裝置,其設計好壞直接影響通話質(zhì)量。
而目前應用較多且性能較好的麥克風是微機電系統(tǒng)麥克風(Micro-Electro-Mechanical-System?Microphone,簡稱MEMS),相關技術的微機電系統(tǒng)麥克風包括背板和與所述背板相對設置的振膜。
而相關技術的微機電系統(tǒng)麥克風的振膜和背板是采用Si或SiO2或Si3O4或多晶硅材料摻雜金屬材料制成的導體,所以振膜振動時容易和背板發(fā)生吸合。一旦發(fā)生吸合,相關技術的微機電系統(tǒng)麥克風將不能正常工作,這就限制了相關技術的微機電系統(tǒng)麥克風的性能,因此,實有必要提出一種新的微機電系統(tǒng)麥克風來克服上述問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
本發(fā)明需解決的技術問題是提供一種可以防止振膜振動時與背板發(fā)生吸合的微機電系統(tǒng)麥克風。
根據(jù)上述的技術問題,設計了一種微機電系統(tǒng)麥克風,其目的是這樣實現(xiàn)的:一種微機電系統(tǒng)麥克風,包括背板和與所述背板相對設置的振膜,所述背板和所述振膜均為導電材料制成。其中,所述背板與所述振膜相對的一面上附有一層完全覆蓋該面的絕緣膜,所述絕緣膜上設有若干向所述振膜方向凸出的絕緣塊。
優(yōu)選的,所述絕緣塊采用多晶硅材料制成。
優(yōu)選的,所述絕緣塊為半球體形。
優(yōu)選的,所述結構層為采用Si或SiO2或Si3O4或多晶硅材料摻雜金屬材料制成的導。
優(yōu)選的,所述背板設有兩層,依次為抗腐蝕層和結構層,所述結構層與所述振膜相鄰。
與相關技術相比,本發(fā)明的微機電系統(tǒng)麥克風可以防止其振膜振動時與背板發(fā)生吸合。
【附圖說明】
圖1為本發(fā)明微機電系統(tǒng)麥克風的剖示圖。
圖2為圖1中A部分的放大圖。
【具體實施方式】
下面結合附圖和實施方式對本發(fā)明作進一步說明。
如圖1-2所示,一種微機電系統(tǒng)麥克風1,包括背板2和與背板2相對設置的振膜3,背板2和振膜3均為導電材料制成。其中,背板2與振膜3相對的一面上附有一層完全覆蓋該面的絕緣膜5,絕緣膜5上設有若干向振膜3方向凸出的絕緣塊4,絕緣塊4采用多晶硅材料制成。背板2設有兩層,依次為抗腐蝕層21和結構層22,結構層22與振膜3相鄰。結構層22為采用Si或SiO2或Si3O4或多晶硅材料摻雜金屬材料制成的導體,抗腐蝕層21降低了背板2被腐蝕的速度,從而增加了相關技術產(chǎn)品的使用壽命。
因為背板2和振膜3形成電容的兩極,二者都是導體,而絕緣膜5能夠起絕緣作用,使得背板2和振膜3不會發(fā)生短路。而且當振膜3振動時容易與背板2的結構層22發(fā)生吸合,絕緣膜5還能起到防止振膜3和結構層22發(fā)生吸合的作用,而絕緣塊4配合絕緣膜5共同作用防止振膜3和結構層22發(fā)生吸合,其效果更好。優(yōu)選的,絕緣塊4為半球體形,其包括球頂部41。球頂部41與振膜3相對設置。這種設置使得振膜3振動時接觸到絕緣塊4的接觸面更小且有一定緩沖作用,不易損傷振膜3,而且該設置使得絕緣塊4的防吸附效果更好。當然,絕緣塊4的形狀并非僅限于此,也可以是其它形狀,只要能起背板2和振膜3的絕緣和防吸附作用都是可行的。
與相關技術相比,本發(fā)明的微機電系統(tǒng)麥克風因設置了絕緣膜,可以防止振膜振動時與背板發(fā)生短路和吸合,另外還設置了絕緣塊,增強了振膜和背板的抗吸合能力。
以上所述的僅是本發(fā)明的實施方式,在此應當指出,對于本領域的普通技術人員來說,在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構思的前提下,還可以做出改進,但這些均屬于本發(fā)明的保護范圍。
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