[發(fā)明專利]基板處理裝置和基板處理方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010534982.4 | 申請(qǐng)日: | 2010-11-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102054663A | 公開(公告)日: | 2011-05-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 織戶康一;本間學(xué);田村辰也 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/00 | 分類號(hào): | H01L21/00;C23C16/44;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會(huì)華 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,其是在真空容器內(nèi)的載置臺(tái)上載置基板、從處理氣體供給部對(duì)上述基板供給處理氣體、在真空氣氛下對(duì)上述基板進(jìn)行處理的基板處理裝置,其特征在于,包括:
第1排氣通路和第2排氣通路,分別用于對(duì)上述真空容器內(nèi)進(jìn)行真空排氣;
第1壓力調(diào)整閥和第2壓力調(diào)整閥,分別設(shè)在上述第1排氣通路和上述第2排氣通路上;
流導(dǎo)調(diào)整部,設(shè)于上述第2排氣通路的上述第2壓力調(diào)整閥的1次側(cè),用于調(diào)整該第2排氣通路的流導(dǎo);
第1壓力測(cè)量部件,用于測(cè)量上述真空容器內(nèi)的壓力;
壓差測(cè)量部件,用于測(cè)量上述流導(dǎo)調(diào)整部的1次側(cè)和2次側(cè)的壓差;
存儲(chǔ)部,存儲(chǔ)有規(guī)定了上述真空容器內(nèi)的壓力值、上述流導(dǎo)調(diào)整部的調(diào)整值、上述第2排氣通路的排氣流量和上述壓差的關(guān)系的數(shù)據(jù);
控制部,從存儲(chǔ)于該存儲(chǔ)部的數(shù)據(jù)讀取與上述第2排氣通路的排氣流量的設(shè)定值相對(duì)應(yīng)的上述真空容器內(nèi)的壓力值、上述流導(dǎo)調(diào)整部的調(diào)整值和上述壓差并輸出控制信號(hào),從而對(duì)上述第1壓力調(diào)整閥進(jìn)行調(diào)整,使得上述真空容器內(nèi)的壓力成為上述壓力值,并且利用上述流導(dǎo)調(diào)整部將上述第2排氣通路的流導(dǎo)調(diào)整成上述調(diào)整值,接著對(duì)上述第2壓力調(diào)整閥進(jìn)行調(diào)整,使得上述壓差成為與上述第2排氣通路的排氣流量的設(shè)定值相對(duì)應(yīng)的壓差。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述流導(dǎo)調(diào)整部是蝶閥,流導(dǎo)的調(diào)整值是蝶閥的開度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述處理是依次對(duì)基板的表面供給互相反應(yīng)的至少兩種反應(yīng)氣體且進(jìn)行該供給循環(huán)而多層層疊反應(yīng)生成物的層來形成薄膜的成膜處理,
該基板處理裝置包括:
第1反應(yīng)氣體供給部件和第2反應(yīng)氣體供給部件,相互分開地設(shè)于上述真空容器的周向,分別用于向上述載置臺(tái)上的基板供給第1反應(yīng)氣體和第2反應(yīng)氣體;
分離區(qū)域,用于分離被供給上述第1反應(yīng)氣體的第1處理區(qū)域和被供給上述第2反應(yīng)氣體的第2處理區(qū)域的氣氛,在上述周向上設(shè)于上述第1和第2處理區(qū)域之間,用于從分離氣體供給部件供給分離氣體;
旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu),使上述第1反應(yīng)氣體供給部件、上述第2反應(yīng)氣體供給部件以及上述分離區(qū)域和上述載置臺(tái)沿上述周向相對(duì)旋轉(zhuǎn),使得上述基板經(jīng)由上述分離區(qū)域依次位于上述第1處理區(qū)域和上述第2處理區(qū)域,
上述第1排氣通路的排氣口為了排出第1反應(yīng)氣體和分離氣體而設(shè)置,上述第2排氣通路的排氣口為了排出第2反應(yīng)氣體和分離氣體而設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述存儲(chǔ)部?jī)?nèi)的數(shù)據(jù)是通過以下的步驟(a)、(b)、(c)而得到的數(shù)據(jù),
(a)在對(duì)基板進(jìn)行處理之前,關(guān)閉上述第1壓力調(diào)整閥,打開上述第2壓力調(diào)整閥,
(b)向上述真空容器內(nèi)供給流量調(diào)整用氣體,并且利用上述流導(dǎo)調(diào)整部對(duì)上述第2排氣通路的流導(dǎo)進(jìn)行調(diào)整,使得上述真空容器內(nèi)的壓力成為規(guī)定的壓力,求出此時(shí)的上述流導(dǎo)調(diào)整部的調(diào)整值和上述壓差,
(c)對(duì)流量調(diào)整用氣體的供給流量和真空容器內(nèi)的壓力的組合嘗試進(jìn)行各種這樣的變更。
5.一種基板處理方法,其特征在于,包括以下工序:
將基板載置在真空容器內(nèi)的載置臺(tái)上,對(duì)上述基板供給處理氣體;
分別從設(shè)有第1壓力調(diào)整閥的第1排氣通路和設(shè)有第2壓力調(diào)整閥的第2排氣通路對(duì)上述真空容器內(nèi)進(jìn)行真空排氣;
從存儲(chǔ)部讀取數(shù)據(jù);
接著,對(duì)上述第1壓力調(diào)整閥進(jìn)行調(diào)整,使得上述真空容器內(nèi)的壓力成為存儲(chǔ)在上述數(shù)據(jù)中的壓力值,并且利用流導(dǎo)調(diào)整部對(duì)上述第2排氣通路的流導(dǎo)進(jìn)行調(diào)整,使得上述第2排氣通路的設(shè)于上述第2壓力調(diào)整閥的1次側(cè)的該流導(dǎo)調(diào)整部的調(diào)整值成為存儲(chǔ)在上述數(shù)據(jù)中的調(diào)整值;
接著,對(duì)上述第2壓力調(diào)整閥進(jìn)行調(diào)整,使得上述流導(dǎo)調(diào)整部的1次側(cè)和2次側(cè)的壓差成為存儲(chǔ)在上述數(shù)據(jù)中的壓差,
上述讀取的工序是從上述數(shù)據(jù)讀取與上述第2排氣通路的排氣流量的設(shè)定值相對(duì)應(yīng)的上述真空容器內(nèi)的壓力值、上述流導(dǎo)調(diào)整部的調(diào)整值和上述壓差的工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板處理方法,其特征在于,
上述處理是依次對(duì)基板的表面供給互相反應(yīng)的至少兩種反應(yīng)氣體且進(jìn)行該供給循環(huán)而多層層疊反應(yīng)生成物的層來形成薄膜的成膜處理,
供給上述處理氣體的工序是分別從互相分開地設(shè)于上述真空容器的周向上的第1反應(yīng)氣體供給部件和第2反應(yīng)氣體供給部件向上述載置臺(tái)上的基板供給第1反應(yīng)氣體和第2反應(yīng)氣體的工序,
在對(duì)上述流導(dǎo)進(jìn)行調(diào)整的工序之前,為了分離被供給上述第1反應(yīng)氣體的第1處理區(qū)域和被供給上述第2反應(yīng)氣體的第2處理區(qū)域的氣氛,進(jìn)行如下工序:從分離氣體供給部件向在上述周向上設(shè)于上述第1和第2處理區(qū)域之間的分離區(qū)域供給分離氣體,并且使上述第1反應(yīng)氣體供給部件、上述第2反應(yīng)氣體供給部件以及上述分離區(qū)域和上述載置臺(tái)沿上述周向相對(duì)旋轉(zhuǎn),使得上述基板經(jīng)由上述分離區(qū)域依次位于上述第1處理區(qū)域和上述第2處理區(qū)域,
上述真空排氣的工序是分別從為了排出第1反應(yīng)氣體和分離氣體而設(shè)置的上述第1排氣通路的排氣口和為了排出第2反應(yīng)氣體和分離氣體而設(shè)置的上述第2排氣通路的排氣口對(duì)上述真空容器內(nèi)進(jìn)行真空排氣的工序。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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