[發(fā)明專(zhuān)利]晶體管及其制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010524964.8 | 申請(qǐng)日: | 2010-10-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102456733A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-05-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 許嘉麟 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L29/78 | 分類(lèi)號(hào): | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 518109 廣東省深圳市*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶體管 及其 制作方法 | ||
1.一種晶體管,其包括納米線、基板、源極、漏極、絕緣層以與柵極,該源極與漏極間隔相對(duì)的貼設(shè)于該基板上,該納米線搭接于該源極與漏極之間,該絕緣層覆蓋于該源極、漏極以及該源極與漏極之間的區(qū)域,該柵極疊設(shè)于該絕緣層上,其特征在于,該源極與漏極的相對(duì)端均為尖端狀設(shè)計(jì),該納米線連接于該源極與漏極的尖端之間。
2.如權(quán)利要求1所述的晶體管,其特征在于:該源極與漏極均為梳狀電極。
3.如權(quán)利要求1所述的晶體管,其特征在于:該源極與漏極均為多層結(jié)構(gòu),且該多層結(jié)構(gòu)中貼設(shè)于該基板上之電極層之相對(duì)端均為尖端設(shè)計(jì)。
4.一種晶體管的制作方法,其包括如下步驟:
提供一基板;
在該基板上按照預(yù)定圖案定義出第一電極區(qū)域以及第二電極區(qū)域;
在該第一電極區(qū)域以及第二電極區(qū)域內(nèi)制備導(dǎo)電薄膜以形成第一電極以及第二電極;
提供一納米線懸浮液,將該納米線懸浮液分散于該基板上;
通電使該第一電極與第二電極之間產(chǎn)生非均勻電場(chǎng),藉由該非均勻電場(chǎng)的作用使該納米線懸浮液中的納米線搭接于該第一電極與第二電極之間;
在該第一電極以及第二電極上疊設(shè)導(dǎo)電薄膜以形成該晶體管的源極以及漏極;
涂覆絕緣層以覆蓋該源極、漏極以及該源極與漏極之間的區(qū)域;
在該絕緣層上制作該晶體管的柵極。
5.如權(quán)利要求4所述的晶體管的制作方法,其特征在于:采用曝光顯影的方式在該基板上按照預(yù)定圖案定義出第一電極區(qū)域以及第二電極區(qū)域。
6.如權(quán)利要求4所述的晶體管的制作方法,其特征在于:該第一電極與該第二電極均為梳狀電極,且其梳齒均為尖齒狀設(shè)計(jì)。
7.如權(quán)利要求4所述的晶體管的制作方法,其特征在于:該第一電極與該第二電極之厚度小于該納米線的直徑。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專(zhuān)門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類(lèi)型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的





