[發(fā)明專利]有機發(fā)光二極管顯示器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010522785.0 | 申請日: | 2010-10-20 |
| 公開(公告)號: | CN102074568A | 公開(公告)日: | 2011-05-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 丁憙星;樸順龍 | 申請(專利權(quán))人: | 三星移動顯示器株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 陳萬青;王珍仙 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機 發(fā)光二極管 顯示器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明主要涉及有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器。更具體地,本發(fā)明主要涉及提高光效率的OLED顯示器。
背景技術(shù)
OLED顯示器是由發(fā)光的OLED顯示圖像的自發(fā)光顯示裝置。與液晶顯示器(LCD)不同,OLED顯示器無需單獨的光源,從而可具有較低的厚度和重量。此外,OLED顯示器提供高質(zhì)量特性,例如低功耗、高亮度和快速反應(yīng)速度。
OLED通常具有空穴注入電極、有機發(fā)光層和電子注入電極。OLED通過激子降低至基態(tài)時產(chǎn)生的能量而發(fā)光,該激子通過來自空穴注入電極的空穴和來自電子注入電極的電子在有機發(fā)光層中耦合而形成。
為了提高OLED顯示器的可用性,需要通過有效地提取有機發(fā)光層中產(chǎn)生的光來提高光效率的各種方法。
此背景技術(shù)章節(jié)中公開的以上信息僅用于增強對本發(fā)明背景的理解,因此它可能會包含不構(gòu)成在該國對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明的實施方式涉及OLED顯示器,所述OLED顯示器基本克服了由相關(guān)技術(shù)的局限和不足導(dǎo)致的一個或多個問題。
因此,實施方式的一個特點是提供了光效率改善的OLED顯示器。
至少一個以上和其它特點和優(yōu)點可通過提供基板主體、所述基板主體上的OLED以及形成在所述OLED上的覆蓋層來實現(xiàn)。所述覆蓋層包括具有折射率不同的至少兩層的膜。
所述膜是至少一層高折射膜與至少一層低折射膜的交替疊層。所述高折射膜可位于所述覆蓋層距離所述OLED最遠(yuǎn)的頂層。
所述高折射膜可具有大于或等于1.7且小于2.7的折射率。所述高折射膜可由無機材料和有機材料中的至少一種制成。所述無機材料可包括氧化鋅、氧化鈦、氧化鋯、氧化硅、氧化鈮、氧化鉭、氧化錫、氧化鎳、氮化銦和氮化鎵中的至少一種。所述有機材料可以是聚合物。
所述低折射膜可具有大于1.3且小于1.7的折射率。所述低折射膜可由無機材料和有機材料中的至少一種制成。所述無機材料可包括氧化硅和氟化鎂中的至少一種。所述有機材料可以是聚合物。
所述OLED顯示器可進一步包括封裝基板,所述封裝基板粘附并密封所述基板主體,以覆蓋所述OLED,其中所述封裝基板與所述OLED之間具有分隔空間。
所述OLED顯示器可進一步包括布置在所述封裝基板與所述OLED之間的所述分隔空間中的氣體。所述氣體的折射率可低于所述高折射膜的折射率。
所述OLED顯示器可進一步包括布置在所述封裝基板與所述OLED之間的所述分隔空間中的非氣體填充物。所述非氣體填充物的折射率可低于所述高折射膜的折射率。所述非氣體填充物可以是有機材料,例如聚合物。
在所述OLED顯示器中,所述OLED可包括:第一電極、形成在所述第一電極上的有機發(fā)光層、和形成在所述有機發(fā)光層上并相對最鄰接所述覆蓋層布置的第二電極。所述第二電極可由透明材料和半透半反材料之一制成。所述第一電極可由反射層形成。
附圖說明
通過參照附圖對示例性實施方式的詳細(xì)說明,本發(fā)明的以上和其它特點和優(yōu)點對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得更顯而易見,其中:
圖1是根據(jù)第一示例性實施方式的OLED顯示器像素平面圖。
圖2是沿圖1的線III-III得到的像素截面圖。
圖3是根據(jù)第二示例性實施方式的OLED顯示器像素截面圖。
具體實施方式
以下將參照附圖更完整地說明示例性實施方式,其中附圖示出了示例性實施方式。正如本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的,所說明的實施方式可以以多種不同方式變更,而不背離本發(fā)明的精神或范圍。
附圖和說明應(yīng)理解成本質(zhì)上的說明而非限制性。全文中相似的附圖標(biāo)記表示相似元件。此外,在多個示例性實施方式中相似的附圖標(biāo)記表示相似元件,并在第一示例性實施方式中得到代表性說明,而與第一示例性實施方式不同的元件將在第二示例性實施方式中說明。
在附圖中,為了清楚,可將層、膜、板、區(qū)域等的厚度放大。在附圖中,為了更好理解并易于說明,過大地顯示了一些層和區(qū)域的厚度。應(yīng)理解的是當(dāng)某一元件,如層、膜、區(qū)域或基板被說成是“在另一元件之上”時,它可直接在該另一元件之上,或者也可存在插入元件。
以下,將參照圖1和2說明第一示例性實施方式。
如圖1和2所示,根據(jù)第一示例性實施方式的OLED顯示器101可包括基板主體111、驅(qū)動電路DC、OLED?70、覆蓋層500和封裝基板210。OLED顯示器101可進一步包括緩沖層120和像素界定膜190。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





