[發(fā)明專利]控制背孔剖面形狀的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010520271.1 | 申請日： | 2010-10-20 |
| 公開（公告）號： | CN102456610A | 公開（公告）日： | 2012-05-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 魏珂;黃俊;劉果果;劉新宇 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 控制 剖面 形狀 方法 | ||
1.一種控制背孔剖面形狀的方法，其特征在于，包括：
在底層材料上沉積金屬薄膜；
刻蝕去除所述底層材料上背孔位置沉積的金屬薄膜；
以所述底層材料上剩余的金屬薄膜為掩膜對所述底層材料進(jìn)行等離子刻蝕，通過逐步降低等離子刻蝕過程中制冷介質(zhì)的流量來實(shí)現(xiàn)對所述背孔剖面形狀的控制。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制背孔剖面形狀的方法，其特征在于，所述底層材料為碳化硅SiC，所述制冷介質(zhì)為氦。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的控制背孔剖面形狀的方法，其特征在于，所述通過逐步降低等離子刻蝕過程中制冷介質(zhì)的流量來實(shí)現(xiàn)對背孔剖面形狀的控制中，所述氦的流量從大于等于100sccm降至小于等于10sccm，呈近似線性變化。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的控制背孔剖面形狀的方法，其特征在于，所述氦的流量從100sccm降至0sccm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的控制背孔剖面形狀的方法，其特征在于，所述SiC的厚度為90μm，所述金屬薄膜為鎳Ni薄膜，所述Ni薄膜的厚度為3μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的控制背孔剖面形狀的方法，其特征在于，所述背孔的傾斜角度介于60°至80°之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的控制背孔剖面形狀的方法，其特征在于，所述刻蝕去除底層材料上背孔位置沉積的金屬薄膜包括：
在所述金屬薄膜上旋涂光刻膠；
通過曝光、顯影步驟，將背孔位置旋涂的光刻膠去除，暴露所述背孔位置沉積的金屬薄膜；
通過濕法刻蝕，將所述背孔位置沉積的金屬薄膜去除。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的控制背孔剖面形狀的方法，其特征在于，所述以底層材料上剩余的金屬薄膜為掩膜對底層材料進(jìn)行等離子刻蝕之后還包括：
在具有背孔的所述底層材料上濺射起鍍層，所述起鍍層為雙層，下層為Ti層，上層為Au層；
在所述起鍍層上電鍍Au。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
