[發明專利]用于制造并組裝可印刷半導體元件的方法和設備

有效

• 申請號: 201010519400.5
• 申請日: 2005-06-02
• 公開（公告）號: CN102097458A
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發明（設計）人: R·G·納佐;J·A·羅杰斯;E·梅納德;李建宰;姜達榮;孫玉剛;M·梅爾特;朱正濤
• 申請（專利權）人: 伊利諾伊大學評議會
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/786;H01L21/336;B81C1/00;H01L21/77
• 代理公司: 北京北翔知識產權代理有限公司 11285
• 代理人: 鐘守期;唐鐵軍

1.一種可拉伸半導體元件，包括：

具有支承面的柔性基片；以及

具有彎曲內表面的可印刷單晶半導體結構，所述彎曲內表面具有至少一個凹區域和至少一個凸區域，其中所述彎曲內表面的至少一部分與所述柔性基片的所述支承面聯結，所述半導體結構包括處于應變狀態的屈曲結構，所述屈曲結構以由施加提供所述應變的力而引起的彎曲形態提供。

2.權利要求1的可拉伸半導體元件，其中所述晶體無機半導體結構具有與所述所述彎曲內表面相對的彎曲外表面。

3.權利要求1的可拉伸半導體元件，其中所述彎曲內表面具有多個凸區域。

4.權利要求1的可拉伸半導體元件，其中所述彎曲內表面具有多個凹區域。

5.權利要求1的可拉伸半導體元件，其中所述彎曲內表面具有呈周期波特征的輪廓。

6.權利要求1的可拉伸半導體元件，其中所述彎曲內表面具有呈非周期波特征的輪廓。

7.權利要求1的可拉伸半導體元件，其中所述半導體結構包括呈屈曲構造的帶狀物，所述帶狀物具有遍及所述帶狀物長度的、呈周期波特征的輪廓。

8.權利要求7的可拉伸半導體元件，其中所述屈曲帶具有選自約5微米至約50微米范圍的寬度以及選自約50納米至約500納米范圍的厚度。

9.權利要求1的可拉伸半導體元件，其中所述彎曲內表面在沿著所述彎曲內表面的幾乎全部點上與所述支承面聯結。

10.權利要求1的可拉伸半導體元件，其中所述彎曲內表面在沿著所述彎曲內表面的選定的點上與所述支承面不連續地聯結。

11.權利要求1的可拉伸半導體元件，其中所述柔性基片含有聚(二甲基硅氧烷)。

12.權利要求1的可拉伸半導體元件，其中所述柔性基片具有等于約1毫米的厚度。

13.權利要求1的可拉伸半導體元件，其中所述半導體結構為無機半導體材料。

14.權利要求1的可拉伸半導體元件，其中所述半導體結構含有單晶硅。

15.權利要求1的可拉伸半導體元件，其中所述半導體結構中的重金屬雜質的濃度小于1ppb原子。

16.權利要求1的可拉伸半導體元件，其中所述單晶半導體為選自Si、Ge、金剛石、SiC、SiGe、AlSb、AlAs、Aln、AlP、BN、GaSb、GaAs、GaN、GaP、InSb、InAs、InN、InP、Al_xGa_1-xAs、CsSe、CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnSe、ZnS、HgS、PbS、ZnTe、CuCl、PbS、PbTe、SnS、PbI₂、MoS₂、GaSe、CuO、Cu₂O、AlGaAs、AlInAs、AlInP、GaAsP、GaInAs、GaInP、AlGaAsSb、AlGaInP和GaInAsP的材料。

17.權利要求1的可拉伸半導體元件，其中所述單晶半導體摻雜有P型摻雜材料或摻雜有n型摻雜材料。

18.權利要求1的可拉伸半導體元件，其中所述單晶半導體為氧雜質少于約5-25ppm原子的高純度半導體。

19.權利要求1的可拉伸半導體元件，其中所述單晶半導體為碳雜質少于約1-5ppm原子的高純度半導體。

20.權利要求1的可拉伸半導體元件，其中所述單晶半導體為重金屬雜質少于或等于約1ppm原子的高純度半導體。

21.權利要求1的可拉伸半導體元件，其中所述單晶半導體為重金屬雜質少于或等于約100ppb原子的高純度半導體。

22.權利要求1的可拉伸半導體元件，其中所述單晶半導體為重金屬雜質少于或等于約1ppb原子的高純度半導體。

23.權利要求1的可拉伸半導體元件，還包括一個或多個與所述單晶半導體結構操作性地連接的器件組件，所述一個或多個器件組件選自介電層、電極和附加半導體結構。

24.權利要求1的可拉伸半導體元件，其中所述應變大于0.5％、大于1％或大于3％。