[發(fā)明專利]圖像感測裝置及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010504411.6
• 申請日: 2010-10-11
• 公開（公告）號: CN102270647A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉明凱;黃自維;張瑞鴻;黃家輝;陳騰盛
• 申請（專利權(quán)）人: 采鈺科技股份有限公司;美商豪威科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;陳晨

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種圖像感測裝置及其形成方法，尤其涉及一種具有透光區(qū)的圖像感測裝置及其形成方法。

背景技術(shù)

近年來，圖像提取裝置，像是固態(tài)圖像提取裝置，廣泛地被應(yīng)用于光電裝置上，舉例來說，像是數(shù)碼相機(jī)、移動電話、或是玩具等。一般來說，圖像提取裝置包含一光感測元件，像是電荷耦合元件(CCD)、光感測元件、或是互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)光感測元件。

于固態(tài)圖像感測裝置中，通常設(shè)置有微透鏡(micro?lens)，借以改善圖像感測度(image?sensitivity)。此外，于固態(tài)圖像感測裝置內(nèi)通常也設(shè)置有光圈(diaphragm)，以用于微透鏡的光路過濾之用，進(jìn)而調(diào)節(jié)穿透微透鏡及朝向圖像感測器前進(jìn)的光量。

光圈通常定義形成于微透鏡的表面上，且其通常借由光刻技術(shù)所形成的圖案化遮光層所形成。由于微透鏡上通常存在有一曲面，故采用光刻技術(shù)以圖案化形成于微透鏡的曲面上的遮光層的部分時可能造成曝光一致性與再現(xiàn)性的不一致情形。此外，光刻技術(shù)的使用需要較高的制造成本與較長制造時間。

中國臺灣專利申請?zhí)?97119486教示利用一能致澎潤犧牲單元對一金屬層進(jìn)行圖案化，以形成一遮光圖案或一電磁干擾圖案。然而，該金屬圖案(作為該遮光圖案/電磁干擾圖案)及一透鏡上表面之間的附著力不佳，以致于該金屬在后續(xù)清洗步驟中易于由該透鏡上表面剝離或破裂。

因此，目前業(yè)界需要一種新穎的方法用以制造該圖像感測裝置的透光區(qū)，以使得圖像感測裝置的產(chǎn)率不會受到該電磁干擾圖案碎裂后所產(chǎn)生的金屬碎片的影響。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明提供一形成圖像感測裝置的方法，包含提供一光感測元件，其中該光感測元件具有一透鏡位于該光感測元件之上；形成一第一犧牲單元于該透鏡之上；形成一電磁干擾層于該透鏡及該第一犧牲單元之上；移除該第一犧牲單元及部分形成于該第一犧牲單元上的該電磁干擾層，以形成一具有一開口的電磁干擾圖案，其中該開口露出該透鏡的一選擇部分；形成一第二犧牲單元于該開口之內(nèi)以覆蓋該透鏡的選擇部分的一中央?yún)^(qū)域，且仍露出該透鏡的選擇部分的一周圍區(qū)域；形成一遮光層于該電磁干擾圖案、該第二犧牲單元、以及該透鏡的選擇部分的該周圍區(qū)域之上；以及，移除該第二犧牲單元及該第二犧牲單元之上的該遮光層，以露出該透鏡的選擇部分的該中央?yún)^(qū)域作為一透光區(qū)。

根據(jù)本發(fā)明另一實施例，本發(fā)明也提供一圖像感測裝置，包含：一光感測元件，其中該光感測元件具有一透鏡形成于其上；一電磁干擾圖案形成于該透鏡上，其中該電磁干擾圖案具有一開口露出該透鏡的一部分；以及，一遮光圖案形成于該電磁干擾圖案的一上表面及一側(cè)壁，以定義出一位于該電磁干擾圖案開口內(nèi)的一透光區(qū)。

先前所述的傳統(tǒng)電磁干擾圖案所產(chǎn)生的問題(例如剝離、升起、或是破裂)并不會發(fā)生于本發(fā)明所述的該圖像感測裝置的透光區(qū)。

為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉出優(yōu)選實施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下：

附圖說明

圖1A-圖1F為一系列剖面結(jié)構(gòu)圖，顯示本發(fā)明一比較實施例所述非圖像感測裝置的制造方法。

圖2A-圖2G為一系列剖面結(jié)構(gòu)圖，顯示本發(fā)明一實施例所述的圖像感測裝置的制造方法。

圖3A-圖3G為一系列俯視圖，分別對應(yīng)圖2A-圖2G。

圖4顯示本發(fā)明另一實施例所述的圖像感測裝置。

其中，附圖標(biāo)記說明如下：

100～透鏡；

101～曲面部分；

102～圖像感測結(jié)構(gòu)；

103～光感測元件；

105～犧牲單元；

107～電磁干擾層；

107a～電磁干擾圖案；

107b～碎片；

109～遮光層；

109a～遮光圖案；

111～透光區(qū)；

200～透鏡；

201～曲面部分；

203光感測元件；

205A～犧牲單元；

205B～犧牲單元；

206～開口；

206A～中央?yún)^(qū)域；

206B～周圍區(qū)域；

207～電磁干擾層；

207a～電磁干擾圖案；

209～遮光層；

209a～遮光圖案；

211～透光區(qū)；

400～透鏡；

406～開口；

406A～中央?yún)^(qū)域；