[發(fā)明專利]一種光柵結(jié)構(gòu)有機(jī)發(fā)光二極管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010502824.0 | 申請(qǐng)日: | 2010-10-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102447071A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-05-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沈常宇;鐘川;李可 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)計(jì)量學(xué)院 |
| 主分類號(hào): | H01L51/50 | 分類號(hào): | H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 310018 浙江省*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 光柵 結(jié)構(gòu) 有機(jī) 發(fā)光二極管 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明提供了一種光柵結(jié)構(gòu)有機(jī)發(fā)光二極管,屬于發(fā)光二極管領(lǐng)域,尤其是涉及有機(jī)發(fā)光二極管領(lǐng)域。
背景技術(shù)
有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)以其制備工藝簡(jiǎn)單、成本低、發(fā)光顏色純正以及易于大面積制作和柔韌彎曲等優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為是未來(lái)重要的照明顯示技術(shù)之一,尤其在未來(lái)照明光源領(lǐng)域顯示了誘人的應(yīng)用前景;然而,目前OLED的發(fā)光效率不高,不能很好地符合照明等需要;采用帶光柵結(jié)構(gòu)的Alq3膜層,可以針對(duì)某些特定的光波長(zhǎng)的進(jìn)行反射,實(shí)現(xiàn)有源層發(fā)出的光全部反射到ITO透明電極,從而實(shí)現(xiàn)有機(jī)發(fā)光二極管的出光效率的提高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種光柵結(jié)構(gòu)有機(jī)發(fā)光二極管,主要目的是提供一種新型的高光效的可見(jiàn)光波段的有機(jī)發(fā)光二極管,并為納米材料白光有機(jī)發(fā)光二極管的研究提供基礎(chǔ)。
本發(fā)明的光柵結(jié)構(gòu)有機(jī)發(fā)光二極管是以ITO為陽(yáng)極,然后在其一面自下而上依次沉積Pedot:PSS空穴注入層,TPD空穴傳輸層,Rubrene發(fā)光層,Alq3電子傳輸層和Cu/Ag合金陰極;Alq3電子傳輸層的厚度范圍為50-100納米,Alq3電子傳輸層的結(jié)構(gòu)為平面光柵結(jié)構(gòu),通過(guò)調(diào)節(jié)該結(jié)構(gòu)的光柵常數(shù),實(shí)現(xiàn)其特定光波長(zhǎng)的高反射效果,可以使得向Cu/Ag陰極發(fā)射的光產(chǎn)生全反射,從ITO透明電極出射,提高光子出射效率,光柵結(jié)構(gòu)可以是多縫衍射型光柵,光柵的縫間距為30-50納米,光柵的光柵常數(shù)為50-100納米。
本發(fā)明所述的ITO透明電極的厚度為500-1000納米,陰極為Cu/Ag合金,具厚度為1-2微米。
光柵結(jié)構(gòu)有機(jī)發(fā)光二極管的優(yōu)點(diǎn)是:以光柵結(jié)構(gòu)的Alq3作為電子傳輸層和反射層,可提高出光效率。
附圖說(shuō)明
圖1光柵結(jié)構(gòu)有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)示意圖
圖2Alq3層光柵結(jié)構(gòu)示意圖
圖3光柵結(jié)構(gòu)和非光柵結(jié)構(gòu)有機(jī)發(fā)光二極管的電致發(fā)光光譜圖
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖及實(shí)施實(shí)例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述:
參見(jiàn)附圖1,一種光子晶體結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光裝置,其構(gòu)造為:由氧化銦錫(ITO)透明陽(yáng)極(1),聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(Pedot:PSS)空穴注入層(2),N,N′二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺(TPD)空穴傳輸層(3),紅熒稀(Rubrene)發(fā)光層(4),8-羥基喹啉鋁(Alq3)電子傳輸層(5)和Cu/Ag合金陰極(6)構(gòu)成。圖2描述的是本發(fā)明的Alq3層光柵結(jié)構(gòu)示意圖,為平面多縫反射型光柵結(jié)構(gòu);圖3是光柵結(jié)構(gòu)有機(jī)發(fā)光二極管的電致發(fā)光光譜圖,從圖中可以看出,在偏置電壓為12伏時(shí),對(duì)比同樣參數(shù)的非光柵結(jié)構(gòu)有機(jī)發(fā)光二極管的電致發(fā)光光譜圖,光柵結(jié)構(gòu)有機(jī)發(fā)光二極管出光效率明顯提高,發(fā)光中心波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)為520nm。
實(shí)施實(shí)例:
在ITO的一面自下而上依次沉積Pedot:PSS層,TPD層,Rubrene層,Alq3層和Cu/Ag?電極。以旋涂法在ITO一面沉積厚度為30納米的Pedot:PSS膜,采用真空熱蒸發(fā)鍍膜法,在Pedot:PSS膜上蒸鍍一層TPD膜,真空室的真空度為5.0×10-4Pa,有機(jī)物的平均沉積速率為0.2nm/s,形成的TPD膜厚度為50納米;在TPD膜上以0.2nm/s沉積厚度為35納米的Rubrene膜層;然后蒸鍍一層Alq3膜,真空室的真空度為5.0×10-4Pa,有機(jī)物的平均沉積速率為0.3nm/s,形成的Alq3膜厚度為55納米;然后采用紫外光蝕刻法制備出均勻排列縫寬為30納米,光柵常數(shù)為80納米的光柵結(jié)構(gòu)Alq3膜;采用真空濺射法在Alq3膜上沉積厚度為1微米的Cu/Ag合金電極,Cu/Ag比例為10∶1。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門(mén)適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門(mén)適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門(mén)適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門(mén)適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 一種可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)開(kāi)關(guān)觸頭運(yùn)動(dòng)速度的系統(tǒng)
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