[發(fā)明專利]一種光子晶體結構量子點有機發(fā)光二極管發(fā)光裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010502823.6 | 申請日： | 2010-10-09 |
| 公開（公告）號： | CN102447070A | 公開（公告）日： | 2012-05-09 |
| 發(fā)明（設計）人： | 沈常宇;鐘川;李可 | 申請（專利權）人： | 中國計量學院 |
| 主分類號： | H01L51/50 | 分類號： | H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 光子 晶體結構 量子 有機 發(fā)光二極管 發(fā)光 裝置 | ||
1.一種光子晶體結構量子點有機發(fā)光二極管發(fā)光裝置，其特征為：由氧化銦錫(ITO)透明陽極(1)，聚(3，4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(Pedot:PSS)空穴注入層(2)，N，N′-二苯基-N，N′-二(3-甲基苯基)-1，1′-聯(lián)苯-4，4′-二胺(TPD)空穴傳輸層(3)，量子點(QDs)發(fā)光層(4)，8-羥基喹啉鋁(Alq3)電子傳輸層(5)和Cu/Ag合金陰極(6)構成，本發(fā)明的LED以QDs作為有源層，通過對QDs的尺寸調節(jié)，可得到不同波段的出射光，可獲得可見光波段多種有機發(fā)光二極管，通過將Alq3電子傳輸層制備成光子晶體結構，可以使得向Cu/Ag陰極發(fā)射的光產生全反射，從ITO透明電極出射。
2.一種光子晶體結構量子點有機發(fā)光二極管發(fā)光裝置，其特征在于：Alq3電子傳輸層的厚度范圍為40-100納米，Alq3電子傳輸層為二維光子晶體結構，光子晶體結構可以是圓孔或者方形孔，圓孔或者方孔的直徑或者邊長范圍為20-40納米，周期為50-100納米。
3.一種光子晶體結構量子點有機發(fā)光二極管發(fā)光裝置，其特征在于：以QDs作為有源層，QDs可以是CdSe/CdS或者CdSe/ZnS，QDs的尺寸范圍為4.0nm-7.5nm。
4.一種光子晶體結構量子點有機發(fā)光二極管發(fā)光裝置，其特征在于：陽極為ITO透明電極，其厚度為1-5微米，陰極為Cu/Ag合金，其厚度為1-5微米。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
