[發明專利]檢測半導體存儲裝置中的干擾存儲單元的裝置及方法

有效

• 申請號: 201010296772.6
• 申請日: 2010-09-27
• 公開（公告）號: CN102420012A
• 公開（公告）日: 2012-04-18
• 發明（設計）人: 洪俊雄;林政寬;張坤龍
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種檢測一具有一參考單元的存儲裝置中的一選取存儲單元干擾情況的方法，其特征在于，該方法包含：

施加一第一組條件至該選取存儲單元及該參考單元，該第一組條件是適合檢測該選取存儲單元是否被編程；

施加一第二組條件至該選取存儲單元及該參考單元，該第二組條件是適合檢測該選取存儲單元是否被編程，且該第二組條件與該第一組條件不同；以及

假如該選取存儲單元僅會對該第一組或第二組條件之一響應而被編程，識別該選取存儲單元具有該干擾情況。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，該第一組條件包括施加一字線電壓至該選取存儲單元的柵極，及施加一第一參考字線電壓至該參考單元的柵極。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，該第二組條件包括施加一字線電壓至該選取存儲單元的柵極，及施加一第二參考字線電壓至該參考單元的柵極，其中該第二參考字線電壓小于該第一參考字線電壓。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，該第二組條件包括施加一字線電壓至該選取存儲單元的柵極，及施加一第二參考字線電壓至該參考單元的柵極，其中該第二參考字線電壓大于該第一參考字線電壓。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，該第一組條件包括施加一字線電壓至該選取存儲單元的柵極，及施加一參考字線電壓至該參考單元的柵極。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，該第二組條件包括施加一第二字線電壓至該選取存儲單元的柵極，及施加該參考字線電壓至該參考單元的柵極，其中該第二字線電壓小于該第一字線電壓。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，該第二組條件包括施加一第二字線電壓至該選取存儲單元的柵極，及施加該參考字線電壓至該參考單元的柵極，其中該第二字線電壓大于該第一字線電壓。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，該第一組條件包括施加一位線電流至該選取存儲單元的柵極，及施加一第一參考位線電流至該參考單元的柵極。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，該第二組條件包括施加該位線電流至該選取存儲單元的柵極，及施加一第二參考位線電流至該參考單元的柵極，其中該第二參考位線電流小于該第一參考位線電流。

10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，該第二組條件包括施加該位線電流至該選取存儲單元的柵極，及施加一第二參考位線電流至該參考單元的柵極，其中該第二參考位線電流大于該第一參考位線電流。

11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，該第一組條件包括施加一第一位線電流至該選取存儲單元的柵極，及施加一參考位線電流至該參考單元的柵極。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，該第二組條件包括施加一第二位線電流至該選取存儲單元的柵極，及施加該參考位線電流至該參考單元的柵極，其中該第二位線電流小于該第一位線電流。

13.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，該第二組條件包括施加一第二位線電流至該選取存儲單元的柵極，及施加該參考位線電流至該參考單元的柵極，其中該第二位線電流大于該第一位線電流。

14.一種存儲裝置，其特征在于，包含：

一存儲單元陣列，包含一存儲單元與一字線及一位線連接，且一參考存儲單元與一參考字線及一參考位線連接；

一字線驅動器與該字線連接；以及

一參考字線驅動器與該參考字線連接，

其中該字線驅動器與該參考字線驅動器至少一者是組態成以提供第一與第二不同電壓階級來檢測該存儲單元的一干擾情況。

15.根據權利要求14所述的存儲裝置，其特征在于，該字線驅動器組態成以提供第一與第二不同電壓階級至該存儲單元來檢測該存儲單元的該干擾情況。

16.根據權利要求15所述的存儲裝置，其特征在于，該參考字線驅動器提供一參考字線電壓至該參考單元使得在該第一與第二不同電壓階級施加至該存儲單元時該參考字線電壓維持相同。