[發明專利]一種晶體硅太陽能電池雙擴散工藝有效

申請號：	201010296312.3	申請日：	2010-09-29
公開（公告）號：	CN101980381A	公開（公告）日：	2011-02-23
發明（設計）人：	劉鵬;姜言森;李玉花;楊青天;程亮;劉斌賢;孫晨曦	申請（專利權）人：	山東力諾太陽能電力股份有限公司
主分類號：	H01L31/18	分類號：	H01L31/18
代理公司：	濟南舜源專利事務所有限公司 37205	代理人：	宋玉霞
地址：	山東省濟南市經十東路3076***	國省代碼：	山東;37
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種晶體太陽能電池擴散工藝
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【權利要求書】：

1.一種晶體硅太陽能電池雙擴散工藝，其特征在于，包括以下步驟：

第一步擴散：硅片放入石英管，（1）在溫度820℃-840℃條件下通入5-8slm?N₂和1.0-1.5slm?O₂，時間2-3min，形成15-30nm的SiO₂的氧化層；（2）升溫到845℃-860℃，通入N₂?8-10slm、N₂-POCl₃?0.8-1.0slm、O₂?0.8-1.2slm的混合氣體進行沉積，時間3.0-8.0min；（3）升溫到900-1000℃，通入8-13slm的N₂進行推進，時間20-70?min；

第二步擴散：（1）降溫到840℃-870℃，通入N₂?8-10slm、N₂-POCl₃?0.8-1.0slm、O₂?0.8-1.2slm的混合氣體進行沉積，時間10-15min；（2）升溫到870℃-950℃，通入8-13slm的N₂進行推進，時間2-6min。

2.根據權利要求1所述的一種晶體硅太陽能電池雙擴散工藝，其特征在于，其優選工藝數據為：

第一步擴散：硅片放入石英管，（1）在溫度830℃條件下通入7.5slm?N₂和1.2slm?O₂，時間3min，形成15-30nm的SiO₂的氧化層；（2）升溫到845℃，通入N₂?9slm、N₂-POCl₃?0.8slm、O₂?1slm的混合氣體進行沉積，時間5min；（3）升溫到950℃，通入10slm的N₂進行推進，時間35?min；

第二步擴散：（1）降溫到850℃，通入N₂?10slm、N₂-POCl_3?0.95slm、O2?1slm的混合氣體進行沉積，時間12min；（2）升溫到860℃，通入9slm的N₂進行推進，時間3min。

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