[發明專利]半導體器件和在TSV轉接板中形成開口腔以在WLCSMP中容納半導體裸片的方法

有效

• 申請號: 201010294420.7
• 申請日: 2010-09-21
• 公開（公告）號: CN102034718A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: H·基;N·仇;H·辛
• 申請（專利權）人: 新科金朋有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L25/00;H01L23/36;H01L23/31
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 臧霽晨;高為

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

將半導體晶圓安裝到臨時載體上；

形成穿過所述半導體晶圓的多個穿透硅通孔(TSV)；

形成部分地穿過所述半導體晶圓的空腔；

將第一半導體裸片安裝到第二半導體裸片上；

將所述第一和第二半導體裸片安裝到所述半導體晶圓上以便所述第一半導體裸片被置于所述半導體晶圓上方并被電連接到所述TSV上，且所述第二半導體裸片被置于所述空腔內；

在所述半導體晶圓上方并圍繞所述第一和第二半導體裸片沉積密封劑；

除去所述密封劑的一部分以暴露所述第一半導體裸片的第一表面；

除去所述半導體晶圓的一部分以暴露所述TSV和所述第二半導體裸片的第一表面，所述半導體晶圓的剩余部分作為用于所述第一和第二半導體裸片的TSV轉接板而工作；以及

在所述TSV轉接板上方形成第一互連結構。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述第一半導體裸片的所述暴露的第一表面和所述第二半導體裸片的暴露的第一表面提供熱消散。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述第一和第二半導體裸片和TSV轉接板用相似的材料制成以提供熱應力消除。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括在所述第一半導體裸片的所述第一表面上方形成金屬板用于熱消散。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括在所述第一半導體裸片的所述第一表面上方形成屏蔽層以對抗電磁干擾。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括形成穿過圍繞所述第一半導體裸片的所述密封劑的多個導電柱。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括在所述第一半導體裸片的所述第一表面上方形成第二互連結構。

8.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

提供半導體晶圓；

形成穿過所述半導體晶圓的多個導電通孔；

在所述半導體晶圓中形成第一空腔；

將第一半導體裸片安裝到第二半導體裸片上；

將所述第一和第二半導體裸片安裝到所述半導體晶圓上以便所述第一半導體裸片被置于所述半導體晶圓上方并被電連接到所述導電通孔，且所述第二半導體裸片被置于所述第一空腔內；

在所述半導體晶圓上方并圍繞所述第一和第二半導體裸片沉積密封劑；

除去所述半導體晶圓的一部分以暴露所述導電通孔和所述第二半導體裸片的第一表面，所述半導體晶圓的剩余部分作為用于所述第一和第二半導體裸片的轉接板而工作；以及

在所述轉接板上方形成第一互連結構。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括在所述半導體中形成第二空腔用于所述半導體晶圓的單一元件化，所述第二空腔在單一元件化后在所述轉接板的側面上留下所述密封劑。

10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括：

形成穿過圍繞所述第一半導體裸片的所述密封劑的多個導電柱；以及

在所述密封劑中形成導電層。

11.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括除去所述密封劑的一部分以暴露所述第一半導體裸片的第一表面。

12.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括形成穿過所述第二半導體裸片的多個導電通孔。

13.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括在所述第一半導體裸片的所述第一表面上方形成金屬板。

14.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括在所述第一半導體裸片的所述第一表面上方形成第二互連結構。