[發明專利]發光二極管的封裝結構與封裝工藝

無效

• 申請號: 201010293390.8
• 申請日: 2010-09-26
• 公開（公告）號: CN101937966A
• 公開（公告）日: 2011-01-05
• 發明（設計）人: 鄭鉉洙;李善九;樸隆植;李賢一
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/50
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陶鳳波

1.一種發光二極管封裝結構，包括：

載具；

間隔物，配置于載具上，其中該間隔物的頂面具有反射層；

至少一發光二極管芯片，配置于該反射層上并且電性連接至該載具；

接面涂層，配置于該間隔物上并且覆蓋該發光二極管芯片；

多個熒光顆粒，分布于該接面涂層內；以及

封膠，配置于該載具上并且包封該發光二極管芯片、該間隔物以及該接面涂層。

2.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其中該載具包括金屬導線架、預封型金屬導線架或是線路基板。

3.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其中該發光二極管芯片具有經由焊線電性連接至該載具的頂電極以及經由該間隔物電性連接至該載具的底電極。

4.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其中該發光二極管芯片具有第一電極以及第二電極，該第一電極以及第二電極共同設置于該發光二極管芯片的頂面上，且該第一電極以及該第二電極分別經由第一焊線以及第二焊線電性連接至該載具。

5.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其中該載具具有凹陷，用以容置該間隔物、該發光二極管芯片以及該接面涂層。

6.如權利要求5所述的發光二極管封裝結構，其中該封膠填入該凹陷內，且該封膠的頂面與該載具的環繞該凹陷的頂面共平面。

7.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其中該間隔物的該頂面被該反射層完全覆蓋。

8.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其中該間隔物的該頂面具有圖案或是表面形貌的變化，以增強該發光二極管封裝結構的光提取效率。

9.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其中該接面涂層的頂面具有圖案或是表面形貌的變化，以增強該發光二極管封裝結構的光提取效率。

10.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其中該接面涂層內的填充物的材料選自二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋁、氧化釔、碳黑，燒結鉆石粉末、石棉、玻璃及其組合所組成的族群其中之一。

11.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其中該封膠內的填充物的材料選自二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋁、氧化釔、碳黑，燒結鉆石粉末、石棉、玻璃及其組合所組成的族群其中之一。

12.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，該間隔物的尺寸大于該發光二極管芯片的尺寸的1.1倍，且該間隔物的尺寸小于該發光二極管芯片的尺寸的3倍。

13.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其中該些熒光粒子的材料選自(YGdTb)₃(AlGa)₅O₁₂:Ce、(SrBaCaMg)₂SiO₄:Eu、(Sr，Ba，CaMg)₃SiO₅:Eu、CaAlSiN₃:Eu、CaScO₄:Ce、Ca10(PO₄)FCl:SbMn、M₅(PO₄)₃Cl:Eu、BaBg₂Al₁₆O₂₇:Eu、Ba、Mg₂Al₁₆O₂₇:Eu、Mn、3.5MgO·0.5MgF₂·GeO₂:Mn、Y₂O₂S:Eu、Mg₆As₂O₁₁:Mn、Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu、(Zn，Cd)S:Cu、SrAl₂O₄:Eu、Ca₁₀(PO₄)₆ClBr:Mn、Eu、Zn₂GeO₄:Mn、Gd₂O₂S:Eu、La₂O₂S:Eu及其組合所組成的族群中的一個，其中，M為選自鍶、鈣、鋇、鎂或其組合所組成的族群中的一種堿土金屬。