[發(fā)明專利]一種短路缺陷測(cè)試裝置和方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010292550.7
• 申請(qǐng)日: 2010-09-17
• 公開（公告）號(hào): CN102412232A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁山安;務(wù)林鳳;郭強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/544
• 分類號(hào): H01L23/544;H01L21/66
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種短路缺陷測(cè)試裝置，包括第一梳型結(jié)構(gòu)體和第二梳型結(jié)構(gòu)體；所述第一梳型結(jié)構(gòu)體包括若干彼此平行的第一短導(dǎo)電線鏈；所述第二梳型結(jié)構(gòu)體由第二導(dǎo)電線和彼此平行的若干第二短導(dǎo)電線鏈構(gòu)成，所述第二短導(dǎo)電線鏈距離第一短導(dǎo)電線鏈較遠(yuǎn)的一端與第二導(dǎo)電線直接相連；所述第一短導(dǎo)電線鏈與第二短導(dǎo)電線鏈間隔排列。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的短路缺陷測(cè)試裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)電線位于第一導(dǎo)電層；

所述第一短導(dǎo)電線鏈由分布在第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的若干第一短導(dǎo)電線和穿過所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間的絕緣層的若干第一導(dǎo)電通孔構(gòu)成，所述第一導(dǎo)電通孔的兩端分別連接一個(gè)第一短導(dǎo)電線。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的短路缺陷測(cè)試裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)電線位于第一導(dǎo)電層；

所述第二短導(dǎo)電線鏈由分布在第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的若干第二短導(dǎo)電線和穿過所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間的絕緣層的若干第二導(dǎo)電通孔構(gòu)成，所述第二導(dǎo)電通孔的兩端分別連接一個(gè)第二短導(dǎo)電線。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的短路缺陷測(cè)試裝置，其特征在于，該裝置還包括位于第三導(dǎo)電層的第一導(dǎo)電線，以及穿過所述第一導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層之間的絕緣層的若干第三導(dǎo)電通孔，第三導(dǎo)電通孔的一端連接所述第一導(dǎo)電線，第三導(dǎo)電通孔的另一端連接所述第一短導(dǎo)電線鏈的距離第二短導(dǎo)電線鏈較遠(yuǎn)的一端。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的短路缺陷測(cè)試裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電線的材料為銅、鋁或多晶硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的短路缺陷測(cè)試裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電通孔的材料為銅或鎢。

7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的短路缺陷測(cè)試裝置，其特征在于，所述絕緣介質(zhì)層的材料為氧化硅。

8.一種短路缺陷測(cè)試方法，包括如下步驟：

將所述第二梳型結(jié)構(gòu)體接地，采用掃描電子顯微鏡觀察該短路缺陷測(cè)試裝置，并調(diào)整合適的顯示圖像對(duì)比度；

當(dāng)?shù)诙嵝徒Y(jié)構(gòu)體整體顯現(xiàn)高亮狀態(tài)，而第一梳型結(jié)構(gòu)體整體處于黑暗狀態(tài)時(shí)，判定無短路缺陷；當(dāng)?shù)诙嵝徒Y(jié)構(gòu)體整體顯現(xiàn)高亮狀態(tài)，而第一梳型結(jié)構(gòu)體的至少一個(gè)第一短導(dǎo)電線鏈呈現(xiàn)高亮狀態(tài)，且第一屬性結(jié)構(gòu)體的至少一個(gè)第一短導(dǎo)電線鏈呈現(xiàn)黑暗狀態(tài)時(shí)，則判定所述呈現(xiàn)高亮狀態(tài)的第一短導(dǎo)電線鏈和與該第一短導(dǎo)電線鏈相鄰的第二短導(dǎo)電線鏈之間的位置存在短路缺陷失效點(diǎn)。