[發明專利]一種絕緣柵雙極型晶體管及其制造方法無效
| 申請號： | 201010290339.1 | 申請日： | 2010-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN101976683A | 公開（公告）日： | 2011-02-16 |
| 發明（設計）人： | 張斌;韓雁;張世峰;胡佳賢;朱大中 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | H01L29/739 | 分類號： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡紅娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 絕緣 柵雙極型 晶體管 及其 制造 方法 | ||
1.一種絕緣柵雙極型晶體管，包括N型基區、P型基區、背P+發射區、N+集電區、柵氧化層、集電極、柵電極和發射極，其特征在于：所述的N型基區由依次層疊的N+擴散殘留層、N-基區和N+緩沖層組成，所述的N+擴散殘留層和N+緩沖層從與N-基區的邊界起始向外摻雜濃度逐漸增加。
2.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：所述的N+擴散殘留層的厚度為3～15um。
3.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：所述的N+擴散殘留層表面的摻雜濃度為8×1013cm-3～1×1015cm-3。
4.根據權利要求1所述的平面型絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：所述的N+緩沖層厚度為10～40um。
5.根據權利要求1所述的平面型絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：所述的N+緩沖層與背P+發射區交界面的摻雜濃度為5×1014cm-3～1×1018cm-3。
6.根據權利要求1所述的平面型絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：所述的N-基區厚度為180～200um。
7.根據權利要求1所述的平面型絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：所述的N-基區的摻雜濃度為4×1013cm-3～1×1014cm-3。
8.根據權利要求1所述的平面型絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：所述的背P+發射區厚度為0.2～0.8um。
9.根據權利要求1所述的平面型絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：所述的背P+發射區的摻雜濃度為5×1016cm-3～5×1019cm-3。
10.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管的制備方法，包括：
(1)在N型單晶硅兩側通過高溫擴散分別形成第一N+擴散區和第二N+擴散區；
(2)分別對第一N+擴散區和第二N+擴散區進行加工形成N+擴散殘留層和N+緩沖層；
(3)在N+擴散殘留層上形成P型基區、N+集電區、柵氧化層、集電極、柵電極；
(4)在N+緩沖層上注入離子形成背P+發射區，背P+發射區氧化形成發射極。
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