[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法、液晶顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010288028.1
• 申請日: 2010-09-16
• 公開（公告）號: CN102403320A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙劍;李治福;劉金娥;王超;周興雨
• 申請（專利權(quán)）人: 上海天馬微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;H01L21/77
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種陣列基板，包括顯示區(qū)域以及包圍所述顯示區(qū)域的邊框區(qū)域，其特征在于，所述顯示區(qū)域包括：

多條正交且相互絕緣的數(shù)據(jù)線以及掃描線；

所述多條數(shù)據(jù)線及掃描線將顯示區(qū)域劃分為多個陣列排布的像素區(qū)，各像素區(qū)內(nèi)包括像素電極以及薄膜晶體管；

還包括多條掃描連接線，所述掃描連接線與數(shù)據(jù)線平行設(shè)置，并將對應(yīng)的各條掃描線與外部驅(qū)動芯片電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述掃描連接線位于數(shù)據(jù)線的下方且被數(shù)據(jù)線覆蓋，并且所述掃描連接線與數(shù)據(jù)線絕緣。

3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，每行像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的柵極對應(yīng)與一條掃描線電連接；每列像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的漏極對應(yīng)與一條數(shù)據(jù)線電連接，源極對應(yīng)與該像素區(qū)內(nèi)的像素電極電連接。

4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素區(qū)內(nèi)還包括公共電極，所述公共電極位于像素電極下方，并與像素電極之間設(shè)置有絕緣介質(zhì)層，所述公共電極、絕緣介質(zhì)層以及像素電極構(gòu)成存儲電容。

5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，各相鄰像素區(qū)內(nèi)的公共電極相互連接并覆蓋所述相鄰像素區(qū)之間的區(qū)域。

6.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極與掃描線為同一層金屬。

7.如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極位于數(shù)據(jù)線的下方并覆蓋所述掃描連接線，并且所述公共電極分別和數(shù)據(jù)線、掃描連接線絕緣。

8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極電壓采用直流驅(qū)動。

9.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述掃描連接線與掃描線通過位于其上的過孔以及位于過孔內(nèi)的其他層金屬電連接。

10.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述掃描連接線與掃描線之間設(shè)置形成有過孔的絕緣介質(zhì)層，所述掃描連線通過在過孔內(nèi)沉積與掃描線連接線直接電連接。

11.一種液晶顯示面板，包括液晶層和彩膜基板，其特征在于，還包括如權(quán)利要求1-10任一所述的陣列基板，所述液晶層位于所述陣列基板和彩膜基板之間。

12.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板分為顯示區(qū)域以及包圍所述顯示區(qū)域的邊框區(qū)域；

在所述顯示區(qū)域內(nèi)形成第一金屬層，并采用第一道掩模、光刻工藝圖形化所述第一金屬層形成掃描連接線，所述掃描連接線用于與外部驅(qū)動芯片電連接；

在所述第一金屬層上形成第一絕緣介質(zhì)層；

在第一絕緣介質(zhì)層上形成第二金屬層，采用第二道掩模、光刻工藝圖形化所述第二金屬層形成掃描線和薄膜晶體管的柵極以及公共電極，所述掃描線與掃描連接線垂直；

在上述結(jié)構(gòu)表面形成第二絕緣介質(zhì)層、非晶硅層、摻雜的非晶硅層，并采用第三道掩模、光刻工藝刻蝕形成薄膜晶體管的有源層；

在上述結(jié)構(gòu)表面形成第三金屬層，采用第四道掩模、光刻工藝圖形化所述第三金屬層形成數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的源漏極金屬，所述數(shù)據(jù)線與掃描連接線平行；

在上述結(jié)構(gòu)表面形成第三絕緣介質(zhì)層，采用第五道掩模、光刻工藝圖形化所述第三絕緣介質(zhì)層形成分別位于薄膜晶體管漏極上方、掃描線上方和掃描連接線上方的過孔結(jié)構(gòu)；

所述數(shù)據(jù)線與掃描線將顯示區(qū)域劃分為陣列排布的像素區(qū)，在上述結(jié)構(gòu)表面沉積像素電極材料，采用第六道掩模、光刻工藝在所述像素區(qū)內(nèi)形成像素電極以及電連接掃描線和掃描連接線的連接部，所述像素電極通過位于薄膜晶體管漏極上方的過孔和漏極電連接，所述掃描線和掃描連接線通過過孔和連接部電連接。