[發(fā)明專利]NANDFLASH參數(shù)探測(cè)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010286865.0
• 申請(qǐng)日: 2010-09-16
• 公開（公告）號(hào): CN102402485A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜迪輝;易若翔;胡勝發(fā)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 安凱(廣州)微電子技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G06F12/02
• 分類號(hào): G06F12/02;G06F12/06
• 代理公司: 廣州知友專利商標(biāo)代理有限公司 44104
• 代理人: 宣國(guó)華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)的存儲(chǔ)容量參數(shù)的探測(cè)方法，具體涉及一種NANDFLASH的參數(shù)探測(cè)方法。

背景技術(shù)

當(dāng)前各類嵌入式系統(tǒng)開發(fā)設(shè)計(jì)中，存儲(chǔ)模塊是不可或缺的重要方面。flash存儲(chǔ)器作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)。目前已經(jīng)逐步取代其它半導(dǎo)體存儲(chǔ)元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序的主要載體。

但市面上各種NANDFLASH的特性因廠商、工藝等的區(qū)別而大相徑庭：就主流廠商而言，有Samsung、Hynix、Toshiba、Micron、ST、Intel等；就單元級(jí)別而言，有SLC(single?level?cell，單級(jí)單元)和MLC(multi?level?cell，多級(jí)單元)之分；就同一系列的NANDFLASH而言，有M代、A代、B代……之分，如三星的K9G4G08X0M、K9G4G08X0A和K9G4G08X0B；當(dāng)然除去上述幾點(diǎn)，還有其他各種差異點(diǎn)。

對(duì)采取NANDFLASH為存儲(chǔ)器的嵌入式產(chǎn)品方案設(shè)計(jì)中，為了滿足不同生產(chǎn)客戶的實(shí)際要求，方案設(shè)計(jì)公司會(huì)提供方案支持的NANDFLASH支持列表，支持列表會(huì)詳細(xì)列出所有支持的NANDFLASH參數(shù)。在具體的軟件系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，可以采取結(jié)構(gòu)體數(shù)組的方式，存儲(chǔ)所有支持NANDFLASH的參數(shù)。如下所示的結(jié)構(gòu)體為對(duì)一款NANDFLASH基本參數(shù)的描述：

Typedef?struct

Nand_phy_info{

???T_U32???ChipId；????????//chip?id

???T_U16???PageSize；??????//page?size

???T_U16???PagesPerBlock；?//pages?of?one?block

???T_U16???BlockNum；??????//total?block?number

???T_U8????SpareSize；?????//spare?size

}T_NAND_PHY_INFO

其中ChipID為NANDFLASH的ID號(hào)，PageSize表示一個(gè)頁(yè)的大小，PagesPerBlock為一個(gè)block包含的page數(shù)目，BlockNum為NANDFLASH一個(gè)片選的block數(shù)，SpareSize為一個(gè)頁(yè)spare區(qū)域的大小。

NANDFLASH種類繁多，參數(shù)各異，獲取NANDFLASH的參數(shù)需要詳盡閱讀每個(gè)NANDFLASH廠家每款NANDFLASH發(fā)布的芯片文檔，工作量相當(dāng)大，而若沒有某款NANDFLASH的datasheet時(shí)將無(wú)法使用該NANDFLASH。

在實(shí)際的研發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程中，由于生產(chǎn)廠家進(jìn)貨渠道的不同，可能采購(gòu)到林林總總的NANDFLASH，有的可能沒有相應(yīng)的資料說(shuō)明書(datasheet)，有的可能表面被打磨后標(biāo)識(shí)模糊不清。對(duì)于這種沒有具體資料的“無(wú)名”NANDFLASH的使用，由于無(wú)法預(yù)知或獲取其使用NANDFLASH的基本參數(shù)，成為了很多方案設(shè)計(jì)和生產(chǎn)廠家在使用和生產(chǎn)中的一道難題。本技術(shù)則可以根據(jù)NANDFLASH的特性，在沒有NANDFLASH具體資料的情況下，僅通過(guò)對(duì)NANDFLASH進(jìn)行一些基本操作(擦除、寫數(shù)據(jù)和讀數(shù)據(jù))，從而探測(cè)到其基本參數(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種NANDFLASH參數(shù)探測(cè)方法，本方法能夠根據(jù)NANDFLASH樣片及其使用環(huán)境來(lái)自動(dòng)獲取NANDFLASH基本參數(shù)，而無(wú)需該NANDFLASH的資料說(shuō)明書(datasheet)。

本發(fā)明的目的可通過(guò)以下的技術(shù)措施來(lái)實(shí)現(xiàn)：一種NANDFLASH參數(shù)探測(cè)方法，其特征在于包括以下步驟：

(A)探測(cè)所述NANDFLASH中片選數(shù)量、所述每個(gè)片選中的塊數(shù)量、所述每個(gè)塊中頁(yè)面數(shù)量和每個(gè)頁(yè)面大小參數(shù)；

(B)根據(jù)步驟(A)得到的片選數(shù)量、塊數(shù)量、頁(yè)面數(shù)量和頁(yè)面大小參數(shù)計(jì)算所述NANDFLASH的總?cè)萘繀?shù)。

所述步驟(A)中頁(yè)面大小參數(shù)的探測(cè)過(guò)程為：

(a1)區(qū)分所述NANDFLASH的頁(yè)面為大頁(yè)或是小頁(yè)，所述大頁(yè)為2K?Bytes或者4K?Bytes的頁(yè)面大小參數(shù)，所述小頁(yè)為512?Bytes的頁(yè)面大小參數(shù)；如果為小頁(yè)，則探測(cè)過(guò)程結(jié)束，否則進(jìn)入步驟(a2)；

(a2)區(qū)分所述大頁(yè)的頁(yè)面大小參數(shù)為2K?Bytes或是4K?Bytes。