[發(fā)明專(zhuān)利]一種氫氧化鎳薄膜電極及其制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010286111.5 | 申請(qǐng)日： | 2010-09-19 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102005571A | 公開(kāi)（公告）日： | 2011-04-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張正富;楊倫權(quán);陳慶華;楊曉梅 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 昆明理工大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01M4/48 | 分類(lèi)號(hào)： | H01M4/48;H01M4/04 |
| 代理公司： | 昆明正原專(zhuān)利代理有限責(zé)任公司 53100 | 代理人： | 金耀生 |
| 地址： | 650093 云*** | 國(guó)省代碼： | 云南;53 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 氫氧化 薄膜 電極 及其 制備 方法 | ||
1.本發(fā)明涉及的氫氧化鎳薄膜電極按以下方法制備：
第一步：取一直徑為10～20mm、厚度為1～3mm的圓形鈦片表面打磨、拋光處理后放到按硝酸與鹽酸1∶3配比的王水里浸泡1小時(shí)，接著，在60～100℃溫度下保溫0.5～3小時(shí)后，冷卻取出，再打磨拋光兩面，作為基片；
第二步：將處理過(guò)的鈦基片作為陰極，放在以硼酸溶液濃度3g/L～60g/L為緩沖液，以硫酸鎳溶液濃度20g/L～200g/L為電鍍液的溶液中進(jìn)行電鍍，電鍍液pH＝1.0～5.0，電鍍時(shí)，脈沖電壓幅值為20～50V，電壓頻率為：180～300Hz，電鍍時(shí)間為：0.1～2.0小時(shí)，得到鈦基片表面的致密鎳鍍層；
第三步：以電鍍了鎳膜的鈦基片作為陽(yáng)極，泡沫鎳作為陰極，放在氫氧化鉀2～10mol/L溶液中，進(jìn)行電化學(xué)氧化，氧化溫度：25～80℃，氧化時(shí)間：1～4小時(shí)，氧化電壓：0.7～1.2V，即獲得薄膜厚度小于100μm的氫氧化鎳薄膜電極。
2.一種按權(quán)利要求1所述的氫氧化鎳薄膜電極的制備方法制備的氫氧化鎳薄膜電極。
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