[發明專利]一種等離子體增強化學氣相沉積爐

無效

• 申請號: 201010279719.5
• 申請日: 2010-09-13
• 公開（公告）號: CN101935826A
• 公開（公告）日: 2011-01-05
• 發明（設計）人: 夏金才;肖劍峰;周體;韓海軍
• 申請（專利權）人: 寧波升日太陽能電源有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/455
• 代理公司: 寧波奧圣專利代理事務所(普通合伙) 33226
• 代理人: 程曉明

1.一種等離子體增強化學氣相沉積爐，包括具有一開口端的沉積腔體和與所述的沉積腔體的開口端相配合的腔門，所述的腔門的內側連接有碳化硅漿，所述的沉積腔體與所述的腔門連接時所述的碳化硅漿完全位于所述的沉積腔體的空腔內，所述的碳化硅漿上放置有多個用于裝載硅片的載片舟，其特征在于所述的碳化硅漿的兩端分別設置有均用于均勻通過氣體的前勻流板和后勻流板，所述的前勻流板和所述的后勻流板分所述的沉積腔體的空腔為前緩沖腔、主腔和后緩沖腔，所有所述的載片舟位于所述的主腔內，所述的前緩沖腔內的氣體通過所述的前勻流板均勻地流向所述的主腔內，所述的主腔內的氣體通過所述的后勻流板均勻地流向所述的后緩沖腔內。

2.根據權利要求1所述的一種等離子體增強化學氣相沉積爐，其特征在于所述的前勻流板設置于所述的碳化硅漿靠近所述的腔門的一端，所述的后勻流板設置于所述的碳化硅漿靠近所述的沉積腔體的底部的一端，所述的前緩沖腔為所述的腔門與所述的前勻流板之間的空間，所述的主腔為所述的前勻流板和所述的后勻流板之間的空間，所述的后緩沖腔為所述的后勻流板和所述的沉積腔體的底部之間的空間。

3.根據權利要求1或2所述的一種等離子體增強化學氣相沉積爐，其特征在于所述的前勻流板和所述的后勻流板均為石英圓盤，所述的石英圓盤上均勻設置有多個通氣孔。

4.根據權利要求3所述的一種等離子體增強化學氣相沉積爐，其特征在于所述的前勻流板的直徑和所述的后勻流板的直徑均小于等于所述的沉積腔體的腔壁的內徑。

5.根據權利要求4所述的一種等離子體增強化學氣相沉積爐，其特征在于所述的腔門上貫穿設置有進氣管，所述的沉積腔體的底部貫穿設置有尾氣管，通過所述的進氣管輸入的反應氣體進入所述的前緩沖腔，位于所述的前緩沖腔內的反應氣體通過均勻設置于所述的前勻流板上的所述的通氣孔進入所述的主腔內，在所述的主腔內反應氣體反應對硅片進行鍍膜，所述的尾氣管抽氣時反應氣體反應后的生成物通過均勻設置于所述的后勻流板上的所述的通氣孔進入所述的后緩沖腔，位于所述的后緩沖腔內的生成物通過所述的尾氣管排出所述的沉積腔體外。