[發明專利]銅銦鎵硒薄膜電池及其制備方法

無效

• 申請號: 201010279009.2
• 申請日: 2010-09-09
• 公開（公告）號: CN101980368A
• 公開（公告）日: 2011-02-23
• 發明（設計）人: 王曉峰
• 申請（專利權）人: 中國科學院深圳先進技術研究院
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

1.一種銅銦鎵硒薄膜電池，包括依次疊合的襯底、金屬背電極層、光吸收層、緩沖層、阻擋層、窗口層，其特征在于：還包括形成于該窗口層上的金屬柵電極，該金屬柵電極包括位于該窗口層上的第一鉬層，位于該第一鉬層上的銅層，和位于該銅層上的第二鉬層。

2.根據權利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜電池，其特征在于：該第一鉬層的厚度為150nm～250nm。

3.根據權利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜電池，其特征在于：該銅層的厚度為750nm～1000nm。

4.根據權利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜電池，其特征在于，該第二鉬層的厚度為75nm～125nm。

5.根據權利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜電池，其特征在于，還包括形成在該窗口層上，并與該金屬柵電極相鄰的減反膜層。

6.一種銅銦鎵硒薄膜電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

在襯底上依次形成疊合的金屬背電極層、光吸收層、緩沖層、阻擋層和窗口層；及

在該窗口層上形成金屬柵電極；

其中，該形成金屬柵電極的步驟包括：

在該窗口層上磁控濺鍍第一鉬層；

在該第一鉬層上磁控濺鍍銅層；及

在該銅層磁控濺鍍第二鉬層。

7.根據權利要求6所述的銅銦鎵硒薄膜電池的制備方法，其特征在于：磁控濺鍍第一鉬層時，濺射真空度為1×10^-1Pa～3×10^-1Pa，功率密度為3W/cm²～6W/cm²，濺射時間為100s～150s，該第一鉬層的厚度為150nm～250nm。

8.根據權利要求6所述的銅銦鎵硒薄膜電池的制備方法，其特征在于：磁控濺鍍銅層時，濺射真空度為5×10^-1Pa～8×10^-1Pa，功率密度為2W/cm²～4W/cm²，濺射時間為3min～5min，該銅層的厚度為750nm～1000nm。

9.根據權利要求6所述的銅銦鎵硒薄膜電池的制備方法，其特征在于：磁控濺鍍第二鉬層時，濺射真空度為1×10^-1Pa～3×10^-1Pa，功率密度為3W/cm²～6W/cm²，濺射時間為50s～75s，該銅層的厚度為75nm～125nm。

10.根據權利要求6所述的銅銦鎵硒薄膜電池的制備方法，其特征在于：在該窗口層上形成金屬柵電極的步驟之后，還包括在該窗口層上形成與該金屬柵電極相鄰的減反膜層。