[發(fā)明專利]X射線產(chǎn)生用靶、X射線產(chǎn)生裝置以及X射線產(chǎn)生用靶的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010274998.6
• 申請日: 2010-09-06
• 公開（公告）號: CN102013378A
• 公開（公告）日: 2011-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 奧村勝彌;門澤克治;清元智文;須山本比呂;石井淳
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社;浜松光子學(xué)株式會社
• 主分類號: H01J35/08
• 分類號: H01J35/08;H05G1/52;H01J9/02
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種X射線產(chǎn)生用靶，其特征在于，

具備：

基板，其由金剛石構(gòu)成，且具有相互相對的第1主面和第2主面，并且從所述第1主面?zhèn)刃纬删哂械酌鏍畹目撞浚灰约?/p>

靶部，其由從所述孔部的底面朝向所述第1主面?zhèn)榷逊e的金屬構(gòu)成，其外側(cè)面整體與所述孔部的內(nèi)側(cè)面緊貼。

2.如權(quán)利要求1所述的X射線產(chǎn)生用靶，其特征在于，

所述靶部在與所述第1主面和第2主面的相對方向平行的截面中，所述第1和第2主面的相對方向上的長度被設(shè)定為與所述第1和第2主面的相對方向垂直的方向上的長度以上。

3.如權(quán)利要求1或者2所述的X射線產(chǎn)生用靶，其特征在于，

在所述基板的所述第1主面?zhèn)龋纬捎袑?dǎo)電層。

4.如權(quán)利要求1或者2所述的X射線產(chǎn)生用靶，其特征在于，

在所述基板的所述第1主面?zhèn)龋纬捎邪^渡元素的保護層。

5.如權(quán)利要求4所述的X射線產(chǎn)生用靶，其特征在于，

所述過渡元素為第一過渡元素。

6.一種X射線產(chǎn)生裝置，其特征在于，

具備：

如權(quán)利要求1～5中的任意一項所述的X射線產(chǎn)生用靶；和

將電子束照射至所述X射線產(chǎn)生用靶上的電子束照射部。

7.一種X射線產(chǎn)生用靶的制造方法，其特征在于，

具備：

準備基板的工序，所述基板由金剛石構(gòu)成，且具有相互相對的第1和第2主面；

在所述基板上從第1主面?zhèn)刃纬删哂械酌鏍畹目撞康墓ば颍灰约?/p>

從所述孔部的底面朝向第1主面?zhèn)仁菇饘俣逊e，在所述孔部中形成靶部的工序。

8.如權(quán)利要求7所述的X射線產(chǎn)生用靶的制造方法，其特征在于，

在形成所述靶部的所述工序中，通過在金屬蒸氣氛圍中將電荷束照射至所述孔部，從而使所述金屬堆積。

9.如權(quán)利要求7或者8所述的X射線產(chǎn)生用靶的制造方法，其特征在于，

在形成所述孔部的所述工序中，通過從所述第1主面?zhèn)葘㈦姾墒丈渲了龌迳希瑥亩纬伤隹撞俊?/p>

10.如權(quán)利要求8或者9所述的X射線產(chǎn)生用靶的制造方法，其特征在于，

所述電荷束為離子束。