[發明專利]一種碳納米管-聚氨酯復合調光薄膜及其制備方法

無效

• 申請號: 201010274711.X
• 申請日: 2010-09-07
• 公開（公告）號: CN101968593A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發明（設計）人: 孟凡成;李清文;陳名海
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: G02F1/153
• 分類號: G02F1/153;G02F1/15;C08L75/04
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102
• 代理人: 陳忠輝

1.一種碳納米管-聚氨酯復合調光薄膜，其特征在于：所述復合調光薄膜包括兩層玻璃、塑料或橡膠中一種材質的透明基體介質，以及夾設于透明基體介質之間相復合的碳納米管薄膜和形狀記憶聚氨酯，并且所述碳納米管薄膜兩端直接與金屬電極相連。

2.根據權利要求1所述的一種碳納米管-聚氨酯復合調光薄膜，其特征在于：所述碳納米管薄膜為單壁碳納米管、多壁碳納米管或兩種碳納米管混合制成的薄膜。

3.根據權利要求2所述的一種碳納米管-聚氨酯復合調光薄膜，其特征在于：所述各種碳納米管的管壁上可功能化修飾有羧基或氨基。

4.根據權利要求1所述的一種碳納米管-聚氨酯復合調光薄膜，其特征在于：所述形狀記憶聚氨酯具有在碳納米管薄膜通電前后所能達到的溫度范圍之內的相轉變溫度，并在碳納米管薄膜達到所述相轉變溫度前后，所述形狀記憶聚氨酯呈現非透明狀態和全透明狀態的可逆轉變。

5.根據權利要求4所述的一種碳納米管-聚氨酯復合調光薄膜，其特征在于：該形狀記憶聚氨酯對應不同的組分結構，其相轉變溫度在20～300℃之間可調。

6.根據權利要求1所述的一種碳納米管-聚氨酯復合調光薄膜，其特征在于：所述碳納米管薄膜兩端的金屬電極為片狀電極或絲網狀電極，選材上至少包括鋁或銅。

7.權利要求1所述復合調光薄膜的制備方法，其特征在于包括步驟：

Ⅰ、選取并潔靜處理一作為襯底的透明基底介質；

Ⅱ、在步驟Ⅰ中所述的透明基底介質上覆蓋一層形狀記憶聚氨酯，并加熱使聚氨酯具有一定粘性；

Ⅲ、制備碳納米管薄膜，并將其覆蓋于聚氨酯表面；

Ⅳ、在所述碳納米管薄膜兩端直接連接金屬電極，并覆蓋相對襯底的另一透明基底介質；

Ⅴ、通過機械加壓或熱縮聚的方式固定該復合調光薄膜的層狀結構。

8.根據權利要求7所述復合調光薄膜的制備方法，其特征在于：在不影響所述透明基底介質透光性的前提下，步驟Ⅱ之前在透明基底介質覆蓋形狀記憶聚氨酯的另一側表面進一步還涂覆自清潔層和光學減反射層，其中所述自清潔層至少為TiO₂，而所述光學減反射層至少為ZnS、CrO₂。

9.根據權利要求7所述復合調光薄膜的制備方法，其特征在于：步驟Ⅱ中所述在透明基底介質上覆蓋形狀記憶聚氨酯制成薄膜的方法至少包括濕法的溶液揮發法、旋涂法或噴涂法以及干法的熱壓法，所述形狀記憶聚氨酯的膜厚介于1μm～5mm。

10.根據權利要求9所述復合調光薄膜的制備方法，其特征在于：所述濕法覆蓋制程中，用于溶解形狀記憶聚氨酯的溶劑采用至少包括N-甲基吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺或N，N-二甲基乙酰胺中的一種。

11.根據權利要求7所述復合調光薄膜的制備方法，其特征在于：步驟Ⅲ中所述碳納米管薄膜的制備方法包括直接生長法、粉末成膜法、碾壓法或固相拉膜法得到。