[發明專利]像素區域上具有電容器的背照式圖像傳感器

有效

• 申請號: 201010272246.6
• 申請日: 2010-08-31
• 公開（公告）號: CN102005464A
• 公開（公告）日: 2011-04-06
• 發明（設計）人: 莊俊杰;楊敦年;劉人誠;林政賢;王文德
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;熊須遠

1.一種背照式圖像傳感器，包括：

半導體襯底，具有正面和背面；

傳感器元件，上覆所述半導體襯底的正面而形成；以及

電容器，上覆所述傳感器元件而形成。

2.根據權利要求1所述的背照式圖像傳感器，其中，所述電容器包括MIM電容器。

3.根據權利要求1所述的背照式圖像傳感器，其中，所述電容器包括MOM電容器。

4.根據權利要求1所述的背照式圖像傳感器，其中，所述半導體襯底包括像素區域，并且所述傳感器元件形成在所述像素區域中。

5.根據權利要求4所述的背照式圖像傳感器，其中，所述電容器形成在所述像素區域中。

6.根據權利要求4所述的背照式圖像傳感器，其中，所述傳感器元件包括在所述半導體襯底的正面上的所述像素區域中的感光區域。

7.根據權利要求4所述的背照式圖像傳感器，其中，所述傳感器元件包括在所述半導體襯底的正面上的晶體管結構。

8.根據權利要求1所述的背照式圖像傳感器，還包括：

多個介電層，上覆所述傳感器元件；以及

互連結構，形成在所述多個介電層中，

其中，所述互連結構的至少兩個金屬層和在所述至少兩個金屬層之間的所述多個介電層中的至少一個形成所述電容器。

9.根據權利要求1所述的背照式圖像傳感器，其中，所述電容器被電連接到所述傳感器元件，并且所述互連結構的至少一個金屬層包括銅。

10.一種背照式圖像傳感器，包括：

半導體襯底，具有正面和背面，其中像素區域限定在所述正面上；

晶體管結構，在上覆所述半導體襯底的正面的所述像素區域中，其中所述晶體管結構包括形成在所述半導體襯底的正面上的柵電極和在所述半?導體襯底的正面中橫向鄰近所述柵電極形成的源極/漏極區域；

感光元件，形成在所述源極/漏極區域中的一個上；以及

電容器，上覆所述晶體管結構而形成并電連接到所述晶體管結構。

11.根據權利要求10所述的背照式圖像傳感器，其中，所述電容器包括MIM電容器。

12.根據權利要求10所述的背照式圖像傳感器，其中，所述電容器包括MOM電容器。

13.根據權利要求10所述的背照式圖像傳感器，其中，所述電容器形成在所述像素區域中，并且所述感光區域是光電二極管區域。

14.根據權利要求10所述的背照式圖像傳感器，還包括：

多個介電層，上覆所述晶體管結構和所述感光元件；以及

互連結構，形成在所述多個介電層中，

其中，所述互連結構的至少兩個金屬層和在所述至少兩個金屬層之間的所述多個介電層中的至少一個形成所述電容器。

15.根據權利要求14所述的背照式圖像傳感器，其中，所述電容器包括底部電極、頂部電極和形成在所述底部電極和所述頂部電極之間的電容器介電層，并且所述底部電極和所述頂部電極中的至少一個包括銅。?