[發明專利]一種用于集成電路的具有控制電路的ESD保護電路無效
| 申請號: | 201010264747.X | 申請日: | 2010-08-27 |
| 公開(公告)號: | CN101944530A | 公開(公告)日: | 2011-01-12 |
| 發明(設計)人: | 張波;樊航;蔣苓利;韓山明;劉娟 | 申請(專利權)人: | 電子科技大學 |
| 主分類號: | H01L27/04 | 分類號: | H01L27/04 |
| 代理公司: | 電子科技大學專利中心 51203 | 代理人: | 葛啟函 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 集成電路 具有 控制電路 esd 保護 電路 | ||
1.一種用于集成電路的具有控制電路的ESD保護電路,包括控制電路(3)、保護電路(4)和ESD電源鉗位電路(6);所述控制電路(3)由RC觸發電路(1)和反相器組(2)組成;集成電路的電源雙軌中的VDD軌通過電阻R和電容C串聯而成的RC觸發電路(1)接集成電路電源雙軌中的VSS軌;所述反相器組(2)由第一級反相器(7)和第二級反相器(8)串聯而成;所述RC觸發電路(1)的輸出端,即電阻R和電容C的連接點與第一級反相器(7)的輸入端相連,第一級反相器(7)的輸出端與第二級反相器(8)的輸入端相連;所述保護電路(4)由互補的NMOS管和PMOS管實現,其中在集成電路每一個I/O?PAD與VDD軌之間連接一個PMOS管,在集成電路每一個I/O?PAD與VSS軌之間連接一個與PMOS管對應互補的NMOS管;控制電路(3)中第一級反相器(7)的輸出端連接保護電路(4)中每一個NMOS管的柵極;控制電路(3)中第二級反相器(8)的輸出端連接保護電路(4)中每一個PMOS管的柵極;所述電源鉗位電路(6)為一個NMOS管,其漏極接集成電路的VDD軌,其源極接集成電路的VSS軌,其柵極接控制電路(3)中第一級反相器(7)的輸出端。
2.一種用于集成電路的具有控制電路的ESD保護電路,包括控制電路(3)、保護電路(4)和ESD電源鉗位電路(6);所述控制電路(3)由RC觸發電路(1)和反相器組(2)組成;集成電路的電源雙軌中的VDD軌通過電容C和電阻R串聯而成的RC觸發電路(1)接集成電路電源雙軌中的VSS軌;所述反相器組(2)由第一級反相器(7)和第二級反相器(8)串聯而成;所述RC觸發電路(1)的輸出端,即電容C和電阻R的連接點與第一級反相器(7)的輸入端相連,第一級反相器(7)的輸出端與第二級反相器(8)的輸入端相連;所述保護電路(4)由互補的NMOS管和PMOS管實現,其中在集成電路每一個I/O?PAD與VDD軌之間連接一個PMOS管,在集成電路每一個I/O?PAD與VSS軌之間連接一個與PMOS管對應互補的NMOS管;控制電路(3)中第一級反相器(7)的輸出端連接保護電路(4)中每一個PMOS管的柵極;控制電路(3)中第二級反相器(8)的輸出端連接保護電路(4)中每一個NMOS管的柵極;所述電源鉗位電路(6)為一個NMOS管,其漏極接集成電路的VDD軌,其源極接集成電路的VSS軌,其柵極接控制電路(3)中第二級反相器(8)的輸出端。
3.根據權利要求1或2所述的用于集成電路的具有控制電路的ESD保護電路,其特征在于,所述反相器組(2)中的第一級反相器(7)和第二級反相器(8)由互補的NMOS管和PMOS管組成;第一級反相器(7)和第二級反相器(8)中,PMOS管的源極接集成電路的VDD軌,NMOS管的源極接集成電路的VSS軌。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





