[發明專利]集成電路、鰭式場效應晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 201010263802.3
• 申請日: 2010-08-25
• 公開（公告）號: CN102005477A
• 公開（公告）日: 2011-04-06
• 發明（設計）人: 葉致鍇;張智勝;萬幸仁
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/36;H01L21/8232;H01L21/336;H01L27/088
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;陳晨

1.一種鰭式場效應晶體管，包括：

一基材；

一鰭式結構，位于該基材上，該鰭式結構包含一溝道，位于一源極及一漏極之間，其中該源極、該漏極及該溝道具有一第一型摻雜，且該溝道包含鍺、鍺化硅或III-V族半導體至少其一；以及

一柵極介電層，位于該溝道上；以及

一柵極，位于該柵極介電層上。

2.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管，其中該溝道的摻雜濃度介于約1e18cm^-3至3e18cm^-3之間。

3.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管，其中該柵極能接受一電壓，且該電壓能使該溝道的費米能階移向該溝道的能隙中間值。

4.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管，其中該鰭式場效應晶體管為一N型鰭式場效應晶體管，且該源極及該漏極至少其一包含鍺、鍺化硅或硅至少其一。

5.如權利要求1所述的鰭式場效應晶體管，其中該鰭式場效應晶體管為一P型鰭式場效應晶體管，且該源極及該漏極至少其一包含Ge、GeSn、SiGeSn或III-V族半導體至少其一。

6.一種鰭式場效應晶體管的制造方法，包括：

形成一鰭式結構于一基材上，該鰭式結構包含一溝道，位于一源極及一漏極之間，其中該源極、該漏極及該溝道具有一第一型摻雜，且該源極、該漏極及該溝道包含鍺、鍺化硅或III-V族半導體；

形成一柵極介電層于該溝道上；以及

形成一柵極于該柵極介電層上。

7.如權利要求6所述的鰭式場效應晶體管的制造方法，其中該溝道的摻雜濃度介于約1e18cm^-3至3e18cm^-3之間。

8.一種集成電路，包括：

一基材；

一虛置圖案，包含至少一第一鰭式結構于該基材上，該第一鰭式結構包含一第一溝道，位于一第一源極及一第一漏極之間，其中該第一源極、該第一漏極及該第一溝道具有一第一型摻雜；以及

一鰭式場效應晶體管，位于該基材上，該鰭式場效應晶體管包含：

一第二鰭式結構，位于該基材上，該第二鰭式結構包含一第二溝道，位于一第二源極及一第二漏極之間，其中該第二源極、該第二漏極及該第二溝道具有一第二型摻雜，且該第二溝道包含鍺、鍺化硅或III-V族半導體至少其一；

一柵極介電層，位于該第二溝道上；及

一柵極，位于該柵極介電層上。

9.如權利要求8所述的集成電路，其中該第二溝道的摻雜濃度介于約1e18cm^-3至3e18cm^-3之間。

10.如權利要求8所述的集成電路，其中該第二源極及該第二漏極至少其一包含鍺、鍺化硅、硅、GeSn、SiGeSn或III-V族半導體至少其一。