[發明專利]半導體器件的制造系統與制造方法

無效

• 申請號: 201010263401.8
• 申請日: 2004-09-07
• 公開（公告）號: CN101937836A
• 公開（公告）日: 2011-01-05
• 發明（設計）人: 牛久幸廣;柿沼英則;秋山龍雄;首藤俊次;安部正泰;小松茂;小川章
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 陳海紅;段承恩

技術領域

本發明涉及半導體器件的制造系統與半導體器件的制造方法，特別涉及到制造裝置的控制方法，以及采用這種裝置與這類方法的半導體器件制造工藝的模擬方法與模擬裝置。

背景技術

以往，通過半導體制造裝置反復地形成基板臺階、形成阱、絕緣、形成晶體管、形成位線、形成電容器與形成布線，來制造DRAM等半導體器件。這種半導體制造過程是通過對光刻處理、蝕刻處理、熱處理(氧化、退火、擴散)、離子注入處理、或膜形成處理(CVD、濺射、蒸鍍)、清洗處理(除去抗蝕劑、由溶液清洗)與檢查處理作適當組合構成。

一般存在有這樣的系統，它在保持種種處理室的氣氛不變下，將基板運入/運出處理室，進行工藝處理，將檢查處理中或處理后基板得到的計測檢查數據傳送給中央控制系統，進行基板與處理室的履歷管理與記錄，輸出對各處理室與制造裝置進行自診斷的適當指示(參看專利文獻1)。

已有的半導體器件的制造裝置具有進行熱處理的氧化爐、控制此氧化爐的氧化爐控制器以及與氧化爐和氧化爐控制器連接進行加工控制的氧化膜厚控制器。

這種氧化膜厚控制器包括具有氧化膜厚計算功能的氧化膜厚計算部和具有計算膜厚判定功能的計算膜厚判定部，它在進行利用熱化學反應的預定的半導體制造過程中，基于預定的過程執行的初始設定開始半導體制造過程，按預定的時間間隔測定與分析進行熱化學反應的預定的系統氣氛狀態及其變化，將此分析結果反饋給半導體制造過程(參看專利文獻2)。

但在這種已有的半導體器件的制造裝置中，即使能進行各個加工處理裝置的自診斷與過程模擬，對半導體基板上的氧化膜的厚度與布線寬度以及雜質擴散濃度進行控制，但對經過多個加工處理裝置完成的晶片由探頭檢測測定的半導體器件，其成品率與通過模擬求得的成品率之間會產生差異。為此必須調整半導體器件的生產計劃與用戶的訂貨數，頻繁地反復花費勞力進行麻煩的追加生產計劃工作，增多了晶片的檢查工序，拖長了半導體器件的制造工期。

[專利文獻1]WO96/25760號公報(第36頁，第25行～37頁，第2行)。

[專利文獻2]特開2002-299336號公報(第11欄，從第5行到第48行，圖1)。

發明內容

本發明提供了這樣的半導體器件制造系統與半導體器件制造方法，它們能恰當地管理各種加工處理裝置的維修時間間隔，延長各個加工處理裝置的運行時間，還可削減各半導體制造過程結束階段實施的晶片檢查步驟。

本發明的一種形式是半導體器件的制造系統，它具有：實行半導體基板的加工處理的處理裝置；控制處理裝置的處理控制裝置；實行半導體基板的加工處理，監視處理裝置的狀態，積分處理裝置的內部信息，實行加工處理的模擬，根據加工處理推定半導體基板處理的進展的實時模擬器。

本發明的一種形式是半導體器件的制造系統，它具有：實行采用半導體基板的加工處理的處理裝置；從處理裝置接收裝置信息計算加工處理的推定質量值的自診斷系統；檢查加工處理結果的檢查裝置；比較檢查結果與推定質量值，當對推定質量值作出有效判定時，維持自診斷系統的參數，而當推定質量值為無效判定時則變更自診斷系統的參數的計算機。

本發明的一種形式是半導體器件的制造系統，它具有：實行采用半導體基板的加工處理的處理裝置；從處理裝置接收裝置信息進行處理裝置自管理的自診斷系統；檢查加工處理結果的檢查裝置；根據檢查結果判定處理裝置是否自動修復，當判定結果為有效判定時維持自診斷系統的參數而當判定結果為無效判定時則變更自診斷系統的參數的計算機。

本發明的一種形式是半導體器件的制造系統，它具有：實行半導體基板的加工處理的處理裝置；基于自診斷參數診斷處理裝置的自診斷裝置；檢查加工處理的檢查裝置；與自診斷裝置及檢查裝置連接，當半導體基板的檢查結果有效時維持自診斷參數而當檢查結果無效時變更自診斷參數的計算機。

本發明的一種形式是半導體器件的制造系統，它具有：實行半導體基板加工處理的處理裝置；取得處理裝置的裝置信息，推定半導體基板質量的質量推定部；對經過加工處理的半導體基板進行質量檢查的質量檢查裝置；比較質量推定部的推定質量數據與質量檢查裝置實測的質量管理信息的比較器。