[發(fā)明專利]一維介孔晶的ZnO基稀磁半導(dǎo)體及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010258311.X
• 申請日: 2010-08-20
• 公開（公告）號: CN101913646A
• 公開（公告）日: 2010-12-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 戴李宗;肖文軍;吳廷華;許一婷;羅偉昂
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門大學(xué)
• 主分類號: C01G9/02
• 分類號: C01G9/02
• 代理公司: 廈門南強(qiáng)之路專利事務(wù)所 35200
• 代理人: 陳永秀;馬應(yīng)森

1.一維介孔晶的ZnO基稀磁半導(dǎo)體，其特征在于為過渡金屬摻雜ZnO基DMSs一維介孔晶納米材料，其分子式為Zn_1-xTM_xO，其中TM為過渡金屬，x為摻雜成分的百分比，x＝0.01～0.10。

2.如權(quán)利要求1所述的一維介孔晶的ZnO基稀磁半導(dǎo)體，其特征在于所述過渡金屬為Mn、Co、Cu或Ni。

3.如權(quán)利要求1所述一維介孔晶的ZnO基稀磁半導(dǎo)體的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1)將鋅鹽溶解在離子液體中，濃度為0.5～4wt％，加熱至溶液透明；

2)往步驟1)制得的溶液中加入過渡金屬鹽至全部溶解，得混合溶液；

3)將步驟2)制得的混合溶液加熱回流，自然冷卻至室溫，將所得到沉淀依次用水和乙醇洗滌，得到的粉末干燥，即得具有室溫鐵磁性的一維介孔晶的ZnO基稀磁半導(dǎo)體。

4.如權(quán)利要求1所述一維介孔晶的ZnO基稀磁半導(dǎo)體的制備方法，其特征在于在步驟1)中，所述鋅鹽為Zn(CH₃COO)₂·2H₂O，Zn(NO₃)₂·4H₂O或ZnCl₂。

5.如權(quán)利要求1所述一維介孔晶的ZnO基稀磁半導(dǎo)體的制備方法，其特征在于在步驟1)中，所述離子液體為N(C₄H₉)₄OH·30H₂O，N(C₃H₇)₄OH·30H₂O或N(C₂H₅)₄OH·30H₂O。

6.如權(quán)利要求1所述一維介孔晶的ZnO基稀磁半導(dǎo)體的制備方法，其特征在于在步驟1)中，所述加熱的溫度為20～40℃。

7.如權(quán)利要求1所述一維介孔晶的ZnO基稀磁半導(dǎo)體的制備方法，其特征在于在步驟2)中，所述過渡金屬鹽與鋅鹽的摩爾比為1∶99～9。

8.如權(quán)利要求1所述一維介孔晶的ZnO基稀磁半導(dǎo)體的制備方法，其特征在于在步驟2)中，所述過渡金屬鹽為Mn、Co、Cu或Ni的金屬鹽，過渡金屬鹽的陰離子與鋅鹽的陰離子一致。

9.如權(quán)利要求1所述一維介孔晶的ZnO基稀磁半導(dǎo)體的制備方法，其特征在于在步驟3)中，所述加熱的溫度為80～110℃，回流的時間為20～30h。

10.如權(quán)利要求1所述一維介孔晶的ZnO基稀磁半導(dǎo)體的制備方法，其特征在于在步驟3)中，所述將所得到沉淀依次用水和乙醇洗滌，是將所得到沉淀用水洗滌2～4次，然后用乙醇洗滌2～4次；所述干燥的溫度為50～80℃，干燥的時間為5～8h。