[發明專利]PECVD系統中的氣體混合裝置、方法和系統

無效

• 申請號: 201010257532.5
• 申請日: 2010-08-20
• 公開（公告）號: CN102206813A
• 公開（公告）日: 2011-10-05
• 發明（設計）人: 戎華;黃沖;段巍;黃世東
• 申請（專利權）人: 浙江正泰太陽能科技有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/34
• 代理公司: 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙) 11370
• 代理人: 馮譜

1.一種PECVD系統中的氣體混合裝置，其特征在于，該裝置包括：

至少兩個進氣管；

混合管，該混合管的一端與所述至少兩個進氣管相連并流體相通，該混合管的另一端與混合腔相連并與混合腔的內腔流體相通；

所述混合腔，該混合腔的殼體上具有至少一個出氣孔，所述混合腔的內腔通過所述出氣孔與所述PECVD系統的反應腔流體相通。

2.根據權利要求1所述的氣體混合裝置，其特征在于：

所述出氣孔至少為兩個，并在所述混合腔的殼體上均勻分布。

3.根據權利要求2所述的氣體混合裝置，其特征在于：

所述混合腔置于所述反應腔內部。

4.根據權利要求3所述的氣體混合裝置，其特征在于：

所述混合腔為環形管；

所述至少兩個出氣孔在所述環形管的殼體上設置為兩兩中心對稱的方式。

5.根據權利要求4所述的氣體混合裝置，其特征在于：

所述至少兩個出氣孔設置在所述環形管直徑較小一側的殼體上，并且所述出氣孔的開口朝向正對所述環形管的圓心。

6.根據權利要求5所述的氣體混合裝置，其特征在于：

所述環形管的橫截面為圓形或矩形。

7.根據權利要求3所述的氣體混合裝置，其特征在于：

所述混合腔為圓柱體；

所述至少兩個出氣孔平行排列地設置在所述圓柱體的底面上。

8.根據權利要求2所述的氣體混合裝置，其特征在于：

所述混合腔置于所述反應腔外部；

所述出氣孔通過一段管道與所述PECVD系統的反應腔流體相通。

9.根據權利要求8所述的氣體混合裝置，其特征在于：

所述管道的進氣端與所述出氣孔相連并流體相通，該管道的出氣端均勻布置在所述反應腔內，并與所述反應腔流體相通。

10.一種PECVD系統中混合氣體的方法，其特征在于，該方法包括：

各原料氣體分別通過至少兩個進氣管進入混合管；

所述各原料氣體在所述混合管內進行混合后，通過該混合管進入混合腔的內腔內；

所述進入了混合腔的內腔的混合氣體通過設置在該混合腔的殼體上的至少一個出氣孔進入所述PECVD系統的反應腔內。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于：

所述混合腔置于所述反應腔內部；

所述出氣孔至少為兩個，并均勻分布在所述混合腔的殼體上。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于：

所述混合腔為環形管，所述出氣孔中心對稱地布置在該環形管上；或

所述混合腔為圓柱體，所述出氣孔平行排列地布置在該圓柱體的底面上。

13.根據權利要求10所述的方法，其特征在于：

所述混合腔置于所述反應腔外部；

所述出氣孔至少為兩個，并且所述出氣孔通過一段管道與所述反應腔流體相通，其中，

所述管道的進氣端與所述出氣孔相連并流體相通，該管道的出氣端均勻布置在所述反應腔內，并與所述反應腔流體相通。

14.根據權利要求10至13任一項所述的方法，其特征在于：

所述原料氣體是兩種氣體，第一原料氣體是SiH4，所述第二原料氣體是NH3。

15.一種沉積氮化硅膜的管式PECVD系統，其特征在于：

該系統使用了如權利要求1至9任一項所述的氣體混合裝置；或

該系統使用了如權利要求10至13任一項所述的PECVD系統中混合氣體的方法。