[發明專利]四結GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs太陽電池的制作方法無效
| 申請號： | 201010255784.4 | 申請日： | 2010-08-17 |
| 公開（公告）號： | CN101950774A | 公開（公告）日： | 2011-01-19 |
| 發明（設計）人： | 趙勇明;陸書龍;董建榮;任雪勇;熊康林;何巍;楊輝 | 申請（專利權）人： | 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102 | 代理人： | 陳忠輝 |
| 地址： | 215123 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | gainp gaas ingaasp ingaas 太陽電池 制作方法 | ||
1.四結GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs太陽電池的制作方法，其特征在于：將基于GaAs襯底生長的晶格匹配的GaInP/GaAs雙結太陽電池和基于InP襯底生長的晶格匹配的InGaAsP/InGaAs雙結太陽電池以鍵合方式集成為四結GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs陽電池。
2.根據權利要求1所述的四結GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs太陽電池的制作方法，其特征在于包括如下步驟：
步驟1：利用金屬有機物化學氣相沉積法在GaAs襯底上生長晶格匹配的GaInP/GaAs雙結太陽電池外延片，獲得帶隙能量為1.9/1.4eV的電池組合；
步驟2：利用金屬有機物化學氣相沉積法在InP襯底上生長晶格匹配的InGaAsP/InGaAs雙結太陽電池外延片，獲得帶隙能量為1.05/0.72eV的電池組合；
步驟3：將步驟1生長的GaInP/GaAs雙結太陽電池襯底減薄，并與InP襯底上生長的InGaAsP/InGaAs雙結太陽電池頂面鍵合，其鍵合界面為：GaAs/InP。
3.根據權利要求1所述的四結GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs太陽電池的制作方法，其特征在于：步驟1之后在GaAs襯底上的GaInP電池的頂端生長GaAs遂穿結，且步驟2之后在InP襯底上的InGaAsP電池的頂端生長InP遂穿結。
4.根據權利要求1所述的四結GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs太陽電池的制作方法，其特征在于：步驟3之后，還包括一系列輸出功率、尺寸外形及適于安裝的封裝工藝步驟，以完成四結太陽電池的制作。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
