[發明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201010254813.5
• 申請日: 2010-08-13
• 公開（公告）號: CN102116980A
• 公開（公告）日: 2011-07-06
• 發明（設計）人: 張真稀;趙興烈
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/1333;H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強

1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括：

基板；

柵線和數據線，設置為彼此交叉以在所述基板上限定像素區；

開關元件，設置在所述柵線和所述數據線的交叉處；

第二像素電極和第一公共電極，在所述基板上設置的保護膜上形成的所述像素區中交替地排列；

第二公共電極，形成為與在柵絕緣膜和所述保護膜之間的所述數據線重疊；

第一存儲電極，形成在所述基板上；

第二存儲電極，形成為與所述第一存儲電極重疊，并與所述開關元件的漏電極一體地形成；以及

有機絕緣膜，形成在所述開關元件、所述第二存儲電極、所述數據線、柵焊盤和數據焊盤的上方，

其中所述第二公共電極形成為覆蓋所述數據線、所述保護膜和所述有機絕緣膜，并具有到達所述像素區中的保護膜的傾斜面。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中在所述柵焊盤和數據焊盤上方形成的有機絕緣膜的厚度小于在所述開關元件、所述第二存儲電極和所述數據線上方形成的有機絕緣膜的厚度。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述第二公共電極由不透明金屬形成。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中在所述薄膜晶體管陣列基板的驅動頻率為120Hz時，所述數據線和所述第二公共電極之間的有機絕緣膜的厚度在約2.5～3.5μm的范圍內。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中在所述薄膜晶體管陣列基板的驅動頻率為240Hz時，所述數據線和所述第二公共電極之間的有機絕緣膜的厚度在約5.5～6.5μm的范圍內。

6.一種制造薄膜晶體管陣列基板的方法，包括：

提供基板；

在所述基板上形成第一金屬膜，并通過第一掩模工藝將所述第一金屬膜圖案化為柵電極、柵線、第一存儲電極和柵焊盤；

在所述基板上順序地形成柵絕緣膜、半導體層和第二金屬膜，并通過第二掩模工藝由所述第二金屬膜和所述半導體層形成源/漏電極、第二存儲電極、數據線、溝道層和數據焊盤；

在所述基板上順序地形成保護膜和有機絕緣膜，并通過第三掩模工藝將所述有機絕緣膜圖案化以暴露部分的保護膜；

通過使用具有不同氧氣含量比的刻蝕氣體來順序地進行用圖案化的有機絕緣膜作為刻蝕掩模的第一和第二刻蝕步驟，以形成所述保護膜上的像素區、暴露所述第二存儲電極的第一接觸孔和暴露所述柵焊盤的第二接觸孔；以及

在所述基板上形成第三金屬膜，并接著將所述像素區中的第三金屬膜圖案化為像素電極和第二公共電極。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述第三掩模工藝使用半色調掩模和衍射掩模的其中一種，并使所述柵焊盤和所述數據焊盤上方的有機絕緣膜具有比所述源/漏電極、所述第二存儲電極和所述數據線上方的有機絕緣膜薄小的厚度。

8.根據權利要求6所述的方法，其中所述第三掩模工藝使用半色調掩模和衍射掩模的其中一種，并能夠完全地除去所述柵焊盤和所述數據焊盤上方的有機絕緣膜。

9.根據權利要求6所述的方法，其中所述第三掩模工藝使用半色調掩模和衍射掩模的其中一種，并能夠完全地除去所述柵焊盤和所述數據焊盤上方的有機絕緣膜、保護膜和柵絕緣膜。

10.根據權利要求6所述的方法，其中所述第一刻蝕步驟使用的刻蝕氣體包括具有在約1∶2.0～1∶3.0范圍內的流量比的SF₆與O₂。

11.根據權利要求6所述的方法，其中所述第二刻蝕步驟使用的刻蝕氣體包括具有在約1∶2.4～1∶3.0范圍內的流量比的SF₆與O₂。

12.根據權利要求6所述的方法，其中通過所述第三掩模工藝形成的所述第一接觸孔和第二接觸孔的內側面是光滑的。