[發明專利]用于制造具有帶有紋理表面的透明傳導氧化物層的多層結構的工藝和借此制成的結構

無效

• 申請號: 201010253661.7
• 申請日: 2010-08-12
• 公開（公告）號: CN101997040A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: 林于庭;黃士哲;徐文凱
• 申請（專利權）人: 杜邦太陽能有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 劉國偉

1.一種多層結構，其包括：

(a)襯底，

(b)第一透明傳導氧化物(TCO)層，

(c)富含金屬的第二TCO層，以及

(d)任選地第三TCO層，

其中所述第二TCO層的至少一部分和存在情況下的所述第三TCO層的至少一部分經蝕刻以形成紋理表面。

2.根據權利要求1所述的多層結構，其中所述第二TCO層包括用Al摻雜的ZnO(AZO)或用Ga摻雜的ZnO(GZO)，且任選地用選自Ag、Al、Cu、Au、Mo、Wo、In、Ti、Sn或Ni的一種或一種以上金屬摻雜。

3.根據權利要求2所述的多層結構，其中所述第二TCO層中的摻雜劑的量為10重量％到80重量％。

4.根據權利要求3所述的多層結構，其中所述第二TCO層中的所述摻雜劑的量為20重量％到50重量％。

5.根據權利要求1所述的多層結構，其中所述第二TCO層的厚度為0.001μm到0.05μm。

6.根據權利要求5所述的多層結構，其中所述第二TCO層的厚度為0.02μm到0.03μm。

7.根據權利要求1所述的多層結構，其中所述第三TCO層包括選自Ag、Al、Cu、Cr、Zn、Mo、Wo、Ca、Ti、In、Sn或Ni的金屬的氧化物，或者ZnO:Al(AZO)、ZnO:Ga(GZO)、SnO2:Sb(ATO)、SnO₂:F(FTO)或BaTiO。

8.根據權利要求1所述的多層結構，其中所述第三TCO層的粒度在0.2μm到2.0μm的范圍內。

9.根據權利要求1所述的多層結構，其中所述第一TCO層包括選自Ag、Al、Cu、?Cr、Zn、Mo、Wo、Ca、Ti、In、Sn或Ni的金屬的氧化物，或者ZnO:Al(AZO)、ZnO:Ga(GZO)、SnO2:Sb(ATO)、SnO₂:F(FTO)或BaTiO。

10.根據權利要求1所述的多層結構，其中所述第一TCO層的厚度為0.1μm到3μm。

11.根據權利要求1所述的多層結構，其中所述第一TCO層和所述第三TCO層由相同材料形成。

12.一種用于制造多層結構的方法，其包括以下步驟：

(a)提供襯底，

(b)在所述襯底上形成第一TCO層，

(c)在所述第一TCO層上形成富含金屬的第二TCO層，

(d)任選地在所述第二TCO層上形成第三TCO層，

(e)蝕刻以形成紋理表面，其中所述蝕刻在所述第二TCO層處停止。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述第二TCO層包括用Al摻雜的ZnO(AZO)或用Ga摻雜的ZnO(GZO)，且任選地用選自Ag、Al、Cu、Au、Mo、Wo、In、Ti、Sn或Ni的一種或一種以上金屬摻雜。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述第二TCO層中的摻雜劑的量為10重量％到80重量％。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所述第二TCO層中的所述摻雜劑的量為20重量％到50重量％。

16.根據權利要求12所述的方法，其中所述第二TCO層的厚度為0.001μm到0.05μm。

17.根據權利要求16所述的方法，其中所述第二TCO層的厚度為0.02μm到0.03μm。

18.根據權利要求12所述的方法，其中所述第三TCO層包括選自Ag、Al、Cu、Cr、Zn、Mo、Wo、Ca、Ti、In、Sn或Ni的金屬的氧化物，或者ZnO:Al(AZO)、ZnO:Ga(GZO)、SnO2:Sb(ATO)、SnO₂:F(FTO)或BaTiO。

19.根據權利要求12所述的方法，其中所述第一TCO層包括選自Ag、Al、Cu、Cr、Zn、Mo、Wo、Ca、Ti、In、Sn或Ni的金屬的氧化物，或者ZnO:Al(AZO)、ZnO:Ga(GZO)、SnO2:Sb(ATO)、SnO₂:F(FTO)或BaTiO。