[發明專利]一種低阻高TCR非晶硅薄膜電阻及其制備方法

無效

• 申請號: 201010246891.0
• 申請日: 2010-08-06
• 公開（公告）號: CN101950643A
• 公開（公告）日: 2011-01-19
• 發明（設計）人: 李偉;傅俊威;吳茂陽;蔣亞東;祁康成
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01C7/02
• 分類號: H01C7/02;H01C7/04;H01C1/14
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 葛啟函

1.一種低阻高TCR非晶硅薄膜電阻，包括玻璃襯底(1)、非晶硅薄膜(2)、金屬電極(3)；所述非晶硅薄膜(2)由薄膜沉積工藝沉積于玻璃襯底(1)上；所述金屬電極(3)由薄膜沉積工藝沉積于非晶硅薄膜(2)上；其特征在于，所述金屬電極(3)為一對叉指電極。

2.根據權利要求1所述的低阻高TCR非晶硅薄膜電阻，其特征在于，所述叉指電極包含一個或多個叉指周期。

3.根據權利要求1所述的低阻高TCR非晶硅薄膜電阻，其特征在于，所述金屬電極(3)材料為銅、鋁、鎢、鈦、鉑、鎳鉻合金或者任何一種它們的合金。

4.一種低阻高TCR非晶硅薄膜電阻的制備方法，包括以下步驟：

步驟1：在玻璃襯底(1)表面沉積非晶硅薄膜；

步驟2：利用磁控濺射設備或真空鍍膜機，在非晶硅薄膜(2)上沉積一層金屬；

步驟3：采用光刻工藝，將非晶硅薄膜表面的金屬層刻蝕成叉指電極形狀。

5.根據權利要求5所述的低阻高TCR非晶硅薄膜電阻的制備方法，其特征在于，步驟1在在玻璃襯底(1)表面沉積非晶硅薄膜時，采用的是PECVD工藝。

6.根據權利要求5所述的低阻高TCR非晶硅薄膜電阻的制備方法，其特征在于，步驟3將非晶硅薄膜表面的金屬層刻蝕成叉指電極形狀的具體光刻工藝過程為：首先清潔非晶硅薄膜(2)表面的金屬層，烘烤除去水汽后，在金屬層表面涂覆光刻膠；然后采用具有叉指結構的光刻掩膜板，利用光刻機對涂覆的光刻膠進行曝光，顯影后剝離不需要的光刻膠；最后利用干法刻蝕氣體進行刻蝕，去除剩于的光刻膠，在非晶硅薄膜(2)表面得到具有叉指結構的金屬電極(3)。

7.根據權利要求5所述的低阻高TCR非晶硅薄膜電阻的制備方法，其特征在于，步驟2中所述金屬層材料為銅、鋁、鎢、鈦、鉑、鎳鉻合金或者任何一種它們的合金。