[發(fā)明專利]防止存儲(chǔ)器穿通電壓降低的方法及存儲(chǔ)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010245598.2
• 申請(qǐng)日: 2010-07-28
• 公開（公告）號(hào): CN102347265A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳兵;常建光;王永剛;衣冠君;馬賽羅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/76
• 分類號(hào): H01L21/76;H01L21/266;H01L23/532
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種防止存儲(chǔ)器穿通電壓降低的方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有多條字線和多條位線；

在所述字線和位線上形成掩膜層，所述掩膜層露出相鄰字線和相鄰位線之間的半導(dǎo)體襯底；

以所述掩膜層為掩膜，對(duì)所述掩膜層露出的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行絕緣離子注入；

對(duì)所述半導(dǎo)體襯底中注入的離子進(jìn)行退火，在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成防穿通區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的防止存儲(chǔ)器穿通電壓降低的方法，其特征在于，所述防穿通區(qū)的材質(zhì)為電學(xué)絕緣材質(zhì)，所述電學(xué)絕緣材質(zhì)為氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅。

3.如權(quán)利要求1所述的防止存儲(chǔ)器穿通電壓降低的方法，其特征在于，所述絕緣離子注入的離子為氧離子、氮離子、碳離子或氧化氮離子。

4.如權(quán)利要求1所述的防止存儲(chǔ)器穿通電壓降低的方法，其特征在于，所述絕緣離子注入的離子能量范圍為10～80Kev，劑量范圍為5E14～1E16cm^-2。

5.如權(quán)利要求1所述的防止存儲(chǔ)器穿通電壓降低的方法，其特征在于，所述掩膜層為光刻膠層、氮化硅層或氧化硅層。

6.如權(quán)利要求1所述的防止存儲(chǔ)器穿通電壓降低的方法，其特征在于，對(duì)所述半導(dǎo)體襯底中注入的離子進(jìn)行退火前，還包括：

進(jìn)行刻蝕工藝，去除所述掩膜層。

7.如權(quán)利要求1所述的防止存儲(chǔ)器穿通電壓降低的方法，其特征在于，所述退火為快速熱退火工藝，退火溫度范圍為400～1050攝氏度，退火時(shí)間為10～120秒，N₂流量范圍為200～1500sccm。

8.一種存儲(chǔ)器，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上具有多條字線和多條位線，其特征在于，

相鄰的字線和相鄰的位線之間的半導(dǎo)體襯底為防穿通區(qū)，所述防穿通區(qū)的材質(zhì)為電學(xué)絕緣材質(zhì)，所述防穿通區(qū)通過注入絕緣離子形成。

9.如權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述電學(xué)絕緣材質(zhì)為氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅。

10.如權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述絕緣離子為氧離子、氮離子、碳離子或氧化氮離子。

11.如權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述絕緣離子的注入能量范圍為10～80Kev，注入劑量范圍為5E14～1E16cm^-2。