[發(fā)明專利]一種高壓發(fā)生器校準方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010244345.3 | 申請日： | 2010-08-03 |
| 公開（公告）號： | CN101965093A | 公開（公告）日： | 2011-02-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳小強 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市藍韻實業(yè)有限公司 |
| 主分類號： | H05G1/10 | 分類號： | H05G1/10;H05G1/20;H02M7/537 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518034 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 高壓發(fā)生器 校準 方法 | ||
1.一種高壓發(fā)生器校準方法，其特征在于，包括步驟：
A1、測量高壓發(fā)生器反饋分壓電阻的實際阻值及串聯(lián)電阻的實際阻值；
A2、計算反饋誤差；
A3、根據(jù)所述反饋誤差和高壓發(fā)生器放大參考值對高壓發(fā)生器曝光過程進行控制。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓發(fā)生器校準方法，其特征在于，所述步驟A1包括步驟：
B1、測量高壓發(fā)生器反饋分壓電阻的實際阻值及串聯(lián)電阻的實際阻值；
B2、存儲所述反饋分壓電阻實際阻值與所述串聯(lián)電阻實際阻值的比值K′FD。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高壓發(fā)生器校準方法，其特征在于，所述步驟A2包括步驟：
B3、計算高壓發(fā)生器反饋分壓電阻的理論阻值及串聯(lián)電阻的理論阻值；
B4、存儲所述反饋分壓電阻理論阻值與所述串聯(lián)電阻理論阻值的比值KFD；。
B5、計算K′FD與KFD的差值，存儲所述差值乘上一個固定常數(shù)的積ΔKset；
B6、計算KFD與所述固定常數(shù)的積Kset。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高壓發(fā)生器校準方法，其特征在于：將Kset與ΔKset的和經(jīng)數(shù)模轉(zhuǎn)換后輸出到高壓發(fā)生器的脈寬調(diào)制控制器。
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