[發明專利]發光二極管封裝結構及其制造方法

無效

• 申請號: 201010242303.6
• 申請日: 2010-08-02
• 公開（公告）號: CN102347418A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: 林升柏
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/54;H01L33/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種半導體封裝結構，尤其涉及一種發光二極管封裝結構及其制造方法。

背景技術

一般發光二極管封裝結構是利用模鑄(molding)的技術，直接于基板上形成封裝體。在其封裝體形成過程中，需要制作模具以固定封裝體的形狀，然后將熔融的液態塑料注入模具中，待塑料冷卻固化后再移除模具以形成預期的結構。由于在封裝體形成過程中，封裝體成型模具需與熔融的液態塑料直接接觸，因此，該成型模具需要采用耐高溫材料制成，從而增加了發光二極管封裝結構的制造成本。此外，制作模具以及成型封裝體的制程時間冗長，且模具移除時常會造成封裝體結構碎裂，而導致制程良率不佳的問題。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種制造成本較低的發光二極管封裝結構及制造方法。

一種發光二極管封裝結構，其包括基座、發光二極管芯片、封裝體及擋墻。所述基座包括一第一表面及與所述第一表面相對的第二表面。所述發光二極管芯片設置于所述第一表面上。所述擋墻設置于所述基座的第一表面上且環繞發光二極管芯片，該擋墻與基座一同形成一容置空間，所述封裝體形成于所述容置空間中，所述擋墻由熱固性樹脂制成。

一種發光二極管封裝結構的制造方法，包括以下步驟：提供一基座，該基座包括一第一表面及與所述第一表面相對的第二表面；在所述基座的第一表面上貼設發光二極管芯片，并形成擋墻環繞所述發光二極管芯片，該擋墻采用熱固性樹脂制成，其與所述基座一同形成一容置空間；及在所述容置空間中形成一封裝體以包覆所述發光二極管芯片。

本發明實施方式提供的發光二極管封裝結構及其制造方法中，通過采用熱固性樹脂來形成擋墻以固定第一封裝體的形狀，從而無需采用耐高溫模具來固定封裝體的形狀，大大降低發光二極管封裝結構的制造成本及節省制程時間。

附圖說明

圖1是本發明第一實施方式提供的一種發光二極管封裝結構剖視圖。

圖2是圖1中的發光二極管封裝結構的制造方法示意圖。

圖3是本發明第二實施方式提供的一種發光二極管封裝結構剖視圖。

圖4是圖3中的發光二極管封裝結構的制造方法示意圖。

圖5是本發明第三實施方式提供的一種發光二極管封裝結構剖視圖。

圖6是圖5中的發光二極管封裝結構的制造方法示意圖。

主要元件符號說明

發光二極管封裝結構????10，20，30

基座??????????????????11

發光二極管芯片????????12

第一封裝體????????????13

擋墻??????????????????14

反射杯????????????????21

第二封裝體????????????22

熒光粉層??????????????31

絕緣基板??????????????111

第一電極??????????????112

第二電極??????????????113

第一表面??????????????114

第二表面??????????????115

容置空間??????????????141

具體實施方式

以下將結合附圖對本發明作進一步的詳細說明。

請參閱圖1，本發明第一實施方式提供的一種發光二極管封裝結構10包括基座11、發光二極管芯片12、第一封裝體13及擋墻14。

所述基座11包括絕緣基板111、第一電極112及第二電極113。所述基座11具有一第一表面114及與所述第一表面114相對的第二表面115。所述第一電極112及第二電極113均從基座11的第一表面114延伸到第二表面115，從而便于發光二極管封裝結構10采用表面貼裝的方式安裝到一電路板(圖未示)上。所述絕緣基板111的材料可選自塑料、硅或陶瓷等。優選地，所述絕緣基板111采用高導熱且電絕緣材料制成，該高導熱且電絕緣材料可選自環氧樹脂、硅氧烷樹脂、氮化鋁、氧化鋁、硅以及氧化硅中的一種或幾種的混合。所述第一電極112和第二電極113可采用金屬或金屬合金制成，如氧化銦錫(ITO)、銅(Cu)、鎳(Ni)、銀(Ag)、鋁(Al)、錫(Sn)、金(Au)等中的一種或幾種的合金(alloy)。