[發明專利]提高監測晶片利用率的方法

有效

• 申請號: 201010241588.1
• 申請日: 2010-07-30
• 公開（公告）號: CN101969036A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發明（設計）人: 郭國超
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本發明涉及集成電路制造領域，特別涉及一種提高監測晶片利用率的方法。

背景技術

在集成電路制造領域，離子注入工藝對半導體器件的電性能起到重要作用，因此，需要對離子注入的狀況(包括注入劑量和注入能量等參數)進行監控，以避免出現異常。目前，通常是將監測晶片放置于離子注入設備中，對該監測晶片進行預設注入參數的離子注入，然后測試該監測晶片的注入區域的電阻值，依據該電阻值和預設注入參數來判斷離子注入設備工藝是否出現異常。

此外，隨著超大規模集成電路(ULSI)的迅速發展，半導體器件的集成度越來越高，尺寸越來越小。當器件尺寸縮小至次微米量級時，會相應的產生許多問題，如器件的電阻值的相應增加。為了克服此類問題，引入了自對準的金屬硅化物(Salicide)工藝，該金屬硅化物是一種具有熱穩定性的金屬化合物，具有較低的電阻值，在半導體器件的各個電極，如柵極、源極和漏極處或電連接處形成所述金屬硅化物，可以顯著減小電連接處的歐姆電阻。一般的，可通過以下步驟形成金屬硅化物：首先，在晶片上形成金屬層；接著，對所述晶片執行快速熱退火工藝，以形成金屬硅化物層。所述快速熱退火工藝對形成的金屬硅化物的質量至關重要，為了保證該快速熱退火工藝的效果，需要對快速熱退火設備進行監控。目前，在快速熱退火過程中，通常在快速熱退火設備的每個反應室內放置一片或多片監測晶片，通過測量該監測晶片的電阻值，來判定快速熱退火設備是否正常工作。

目前，每一個離子注入的監測晶片只能監測一次離子注入工藝，即該離子注入的監測晶片在監測一次離子注入工藝后即報廢，不再用于其它工藝，這使得該離子注入的監測晶片的利用率較低，增加了測試成本。因此，提供一種提高監測晶片利用率的方法，是十分必要的。

發明內容

本發明提供一種提高監測晶片利用率的方法，以解決現有的監測晶片的利用率較低，測試成本較高的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供一種提高監測晶片利用率的方法，包括：提供監測晶片；利用所述監測晶片監控離子注入工藝；繼續利用所述監測晶片監控快速熱退火工藝。

進一步的，在所述提高監測晶片利用率的方法中，利用所述監測晶片監控離子注入工藝的步驟包括：對所述監測晶片執行離子注入工藝；測試所述監測晶片的電阻值，以監控所述離子注入工藝的注入效果。

進一步的，在所述提高監測晶片利用率的方法中，所述離子注入工藝注入的雜質為硼離子。

進一步的，在所述提高監測晶片利用率的方法中，所述離子注入工藝的注入能量大于200KeV，注入劑量小于1×10¹³/cm²。

進一步的，在所述提高監測晶片利用率的方法中，利用所述監測晶片監控快速熱退火工藝的步驟包括：在所述監測晶片上形成金屬層；對所述監測晶片執行快速熱退火工藝，以形成金屬硅化物層；測試所述金屬硅化物層的電阻值，以監控所述快速熱退火工藝的效果。

進一步的，在所述提高監測晶片利用率的方法中，在所述監測晶片上形成金屬層前，還包括：利用稀釋的氫氟酸溶液清洗所述監測晶片。

進一步的，在所述提高監測晶片利用率的方法中，所述金屬層的厚度為

進一步的，在所述提高監測晶片利用率的方法中，所述金屬層的材質為鈷、鎳或鈦。

進一步的，在所述提高監測晶片利用率的方法中，利用濺射的方式在所述監測晶片上形成金屬層。

進一步的，在所述提高監測晶片利用率的方法中，所述快速熱退火工藝的溫度為400～700℃，時間為10～60秒。

由于采用了上述技術方案，與現有技術相比，本發明具有以下優點：

本發明利用監測晶片監控離子注入工藝后，繼續利用該監測晶片監控快速熱退火工藝，提高了監測晶片的利用率，節約了測試成本。

附圖說明

圖1為本發明實施例所提供的提高監測晶片利用率的方法的流程圖。

具體實施方式

下面將結合示意圖對本發明的提高監測晶片利用率的方法進行更詳細的描述，其中表示了本發明的優選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發明，而仍然實現本發明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本發明的限制。