[發明專利]半導體存儲器件及其操作方法

無效

• 申請號: 201010239636.3
• 申請日: 2010-07-27
• 公開（公告）號: CN101989454A
• 公開（公告）日: 2011-03-23
• 發明（設計）人: 北川真
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: G11C11/34
• 分類號: G11C11/34;G11C11/4096
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 黃小臨

1.一種半導體存儲器件，包括：

位線和傳感線；

數據存儲元件，具有根據施加到所述位線的電壓而變化的數據存儲狀態；

第一開關，用于控制所述傳感線到所述位線的連接；

數據鎖存電路，具有第二數據保存節點和連接到所述傳感線的第一數據保存節點；和

第二開關，用于控制所述數據鎖存電路的所述第二數據保存節點到所述位線的連接；其中

在數據更新時間，所述第二開關被置于導通狀態，以基于出現在所述第二數據保存節點上的信息將數據更新脈沖施加到所述數據存儲元件；

之后，所述第一開關被置于導通狀態；且

然后，所述數據鎖存電路通過將提供給所述第二數據保存節點的參考電位取做比較參考執行讀取-檢驗操作以檢測出現在所述位線上的電位，且然后利用在所述讀取-檢驗操作之后鎖存的數據作為用于確定是否需要施加下一數據更新脈沖到所述數據存儲元件的信息。

2.如權利要求1所述的半導體存儲器件，所述半導體存儲器件進一步具有電壓生成控制部件，其被配置為在將所述第二開關置于導通狀態的操作中，以兩個或多個連續步驟改變提供給所述第二開關的控制電壓。

3.如權利要求2所述的半導體存儲器件，其中，所述電壓生成控制部件步進上升施加到所述第二開關的所述控制電壓。

4.如權利要求2所述的半導體存儲器件，其中，所述電壓生成控制部件步進下降施加到所述第二開關的所述控制電壓。

5.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，在施加數據更新脈沖到所述數據存儲元件的操作的開始，控制將所述第二開關置于導通狀態的操作以使得所述第二開關被以使得不在緊接在之前的狀態中反相所述數據鎖存電路中鎖存的數據的開關速度置于導通狀態。

6.如權利要求3所述的半導體存儲器件，其中，所述第二開關是負溝道類型的晶體管。

7.如權利要求4所述的半導體存儲器件，其中，所述第二開關是正溝道類型的晶體管。

8.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中：

所述數據存儲元件具有兩個電極；

在所述兩個電極之間，在存儲層上疊加離子提供層以形成層壓體；

所述存儲層由絕緣材料制成；和

所述離子提供層包括Cu、Ag和Zn的至少其中之一和S、Se和Te的至少其中之一。

9.一種操作半導體存儲器件的方法，所述半導體存儲器件包括數據鎖存電路、位線、第一開關、第二開關和數據存儲元件，所述方法包括：

(1)通過在斷開用于控制所述數據鎖存電路的第一數據保存節點到所述位線的連接的第一開關之后，導通用于控制所述第二數據保存節點到所述位線的連接的所述第二開關，施加在所述數據鎖存電路的第二數據保存節點保存的反向鎖存電位以作為到所述位線的偏壓，從而使得連接到所述位線的所述數據存儲元件的數據存儲狀態可變；

(2)斷開所述第二開關；和

(3)通過將給予所述第二數據保存節點的參考信息取為比較參考，導通所述第一開關并驅動所述數據鎖存電路以執行讀取-檢驗操作，從而檢測出現在所述位線上的電位，

由此執行所述步驟(1)到(3)作為重復多次的步進序列，且就在每一所述步進序列中的所述步驟(3)之后，在所述數據鎖存電路中保存的鎖存數據用作用于確定是否需要執行在所述步驟(3)之后施加偏壓到所述位線的所述步驟(1)的信息。

10.如權利要求9所述的操作半導體存儲器件的方法，由此通過在兩個或多個連續階段改變施加到所述第二開關的控制電壓來在所述步驟(1)導通所述第二開關。