[發明專利]基于硅基底的寬光譜中短波紅外杜瓦窗口及制備工藝

有效

• 申請號: 201010234840.6
• 申請日: 2010-07-23
• 公開（公告）號: CN101907494A
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發明（設計）人: 于天燕;梁俊華;秦楊;章衛祖;劉定權
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海技術物理研究所
• 主分類號: G01J5/02
• 分類號: G01J5/02;G02B1/11
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 郭英

1.一種具有高透射率的、用于探測器杜瓦封裝焊接的寬光譜中短波紅外窗口，它由硅基底(1)、鎳鉻薄膜層(2)、金層(3)、雙面減反射膜(4)構成，其主要特征在于：

所述窗口的其中一面的四周邊緣和側面是用于保證探測器杜瓦的密封焊接的，由硅基底(1)、厚度為3～5nm的鎳鉻合金薄膜(2)和厚度為1～1.5um的金膜(3)構成的金屬化層；

該面的中間區域以及另外一面鍍有寬光譜減反射膜(4)，膜系結構為：

n_s/0.5N?0.808H?1.092N?0.388H?0.369N?0.529L?0.829N?1.679L?0.2N/n₀式中各符號的含義分別為：n_s為基底；n₀為空氣；N表示光學厚度為λ₀/4的硫化鋅(ZnS)膜層；H表示光學厚度為λ₀/4的硅(Si)膜層；L表示光學厚度為λ₀/4的氟化釔(YF₃)膜層；λ₀為中心波長；N、H、L前的數字為λ₀/4光學厚度比例系數乘數。

2.根據權利要求1所述的一種具有高透射率的、用于探測器杜瓦封裝焊接的寬光譜中短波紅外窗口，其特征在于：所述的寬光譜減反射膜(4)中膜層均采用低能高密度離子輔助沉積工藝制備而成，參數為陽極電壓為180～220V，陰極電流為12-14A；其中Si和YF₃采用電子束沉積，沉積速率分別為2-3nm/s和1-2nm/S??ZnS采用電阻加熱方式沉積，沉積速率為3-5nm/s；基底溫度為200℃。