[發明專利]太陽能晶片的制備方法無效
| 申請號： | 201010234552.0 | 申請日： | 2010-07-23 |
| 公開（公告）號： | CN102339893A | 公開（公告）日： | 2012-02-01 |
| 發明（設計）人： | 陳炯 | 申請（專利權）人： | 上海凱世通半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人： | 薛琦;朱水平 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 太陽能 晶片 制備 方法 | ||
1.一種太陽能晶片的制備方法，其特征在于，其包括以下步驟：
S1、在P型基底晶片的背面通過離子注入的方式注入P型離子，形成P+型摻雜層；
S2、在該P型基底晶片的表面形成N型摻雜層；
S3、在該P型基底晶片的表面鍍氮化硅薄膜；
S4、在該P型基底晶片的表面制作金屬電極并燒結形成表面電極；
S5、在該P型基底晶片的背面制作金屬電極，并燒結形成背面電極，
其中，所述的P型替換為N型時，N型同時替換為P型。
2.如權利要求1所述的太陽能晶片的制備方法，其特征在于，步驟S1中注入的P型離子能量為10-50keV，濃度為2E15-7E15/cm3，形成的P+型摻雜層的方塊電阻為20-80Ω/m2。
3.如權利要求1所述的太陽能晶片的制備方法，其特征在于，步驟S2中通過離子注入或者擴散的方式形成N型摻雜層，其中N型離子的摻雜濃度為1E17-5E19/cm3。
4.如權利要求1所述的太陽能晶片的制備方法，其特征在于，步驟S2之后、步驟S3之前還包括在該P型基底晶片的背面鍍絕緣介質薄膜的步驟。
5.如權利要求4所述的太陽能晶片的制備方法，其特征在于，所述絕緣介質薄膜為SiOx、SiCx、SiNx或Al2O3薄膜。
6.如權利要求1所述的太陽能晶片的制備方法，其特征在于，步驟S4中通過絲網印刷法制作金屬電極，并且燒結溫度為850-1000℃，使得燒結和退火同時進行。
7.如權利要求1所述的太陽能晶片的制備方法，其特征在于，步驟S5中制作金屬電極的方法為絲網印刷法。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海凱世通半導體有限公司，未經上海凱世通半導體有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010234552.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種機械密封用的彈性O形密封圈
- 下一篇：造紙秸稈雜質分選機
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
