[發(fā)明專利]具有金剛石防護(hù)層的絕緣子及其生產(chǎn)方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010234297.X
• 申請日: 2010-07-20
• 公開（公告）號: CN102024534A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周國泰;劉鐵林
• 申請（專利權(quán)）人: 劉鐵林;周國泰
• 主分類號: H01B17/50
• 分類號: H01B17/50;H01B19/04
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 關(guān)暢

1.一種絕緣子，包括絕緣子本體；其特征在于：在所述絕緣子本體的外表面，除與電線相接觸的部分外，均沉積有金剛石防護(hù)層；所述金剛石防護(hù)層的厚度為60-1000納米。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣子，其特征在于：所述金剛石防護(hù)層的厚度為60-70納米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的絕緣子，其特征在于：所述絕緣子為復(fù)合絕緣子、玻璃絕緣子、陶瓷絕緣子或樹脂絕緣子。

4.一種生產(chǎn)權(quán)利要求1-3任一所述絕緣子的方法，包括如下步驟：

1)將絕緣子本體的外表面上與電線相接觸的部分進(jìn)行屏蔽；

2)在絕緣子本體的外表面上，化學(xué)氣相沉積一層金剛石防護(hù)層，得到權(quán)利要求1-3任一所述絕緣子。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于：所述步驟2)中，金剛石防護(hù)層的厚度為60-1000納米。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于：所述步驟2)中，金剛石防護(hù)層的厚度為60-70納米。

7.根據(jù)權(quán)利要求4-6任一所述的方法，其特征在于：所述步驟2)中，化學(xué)氣相沉積步驟中，沉積溫度為室溫，沉積壓力為-10Pa～30Pa，沉積速率為3～6nm/min。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：所述步驟2)中，化學(xué)氣相沉積步驟中，沉積溫度為室溫，沉積壓力為1Pa～10Pa，沉積速率為3nm/min。

9.根據(jù)權(quán)利要求4-8任一所述的方法，其特征在于：所述步驟2)中，化學(xué)氣相沉積步驟所用的原料氣選自甲烷、煤氣、天然氣、石油氣、乙烯和乙炔中的至少一種。

10.根據(jù)權(quán)利要求4-9任一所述的方法，其特征在于：所述步驟2)中，在所述化學(xué)氣相沉積一層金剛石防護(hù)層后，還進(jìn)行如下處理：拆除步驟1)所述的屏蔽，得到權(quán)利要求1-3任一所述絕緣子。